[发明专利]负电压检测器

权利要求书

1.一种负电压检测器，其特征在于包含：

一第一n型通道晶体管，其栅极耦接于漏极；

一第二n型通道晶体管，其栅极耦接于所述第一n型通道晶体管的栅极；

一第一电流源，耦接于所述第一n型通道晶体管的漏极；

一第二电流源，耦接于所述第二n型通道晶体管的漏极：

一输出端，耦接于所述第二n型通道晶体管的漏极；以及

一输入端，耦接于所述第一n型通道晶体管的源极，其控制所述第二n型通道晶体管的开关而改变所述输出端的输出电压。

2.如权利要求1所述的负电压检测器，其特征在于所述第一电流源的输出电流大于所述第二电流源的输出电流。

3.如权利要求2所述的负电压检测器，其特征在于所述第一n型通道晶体管匹配于所述第二n型通道晶体管。

4.如权利要求2所述的负电压检测器，其特征在于所述第一电流源包含一第一p型通道晶体管，所述第二电流源包含一第二p型通道晶体管。

5.如权利要求4所述的负电压检测器，其特征在于所述第一p型通道晶体管与所述第二p型通道晶体管形成一电流镜。

6.如权利要求4所述的负电压检测器，其特征在于所述第一p型通道晶体管的宽长比大于所述第二p型通道晶体管的宽长比。

7.如权利要求4所述的负电压检测器，其特征在于所述第一p型通道晶体管与所述第二p型通道晶体管的源极耦接于一电压源。

8.如权利要求1所述的负电压检测器，其特征在于所述第一电流源的输出电流等于所述第二电流源的输出电流。

9.如权利要求8所述的负电压检测器，其特征在于所述第一n型通道晶体管的宽长比小于所述第二n型通道晶体管的宽长比。

10.如权利要求8所述的负电压检测器，其特征在于所述第一电流源包含一第一p型通道晶体管，所述第二电流源包含一第二p型通道晶体管。

11.如权利要求10所述的负电压检测器，其特征在于所述第一p型通道晶体管与所述第二p型通道晶体管形成一电流镜。

12.如权利要求10所述的负电压检测器，其特征在于所述第一p型通道晶体管匹配于所述第二p型通道晶体管。

13.如权利要求10所述的负电压检测器，其特征在于所述第一p型通道晶体管与所述第二p型通道晶体管的源极耦接于一电压源。

14.如权利要求1所述的负电压检测器，其特征在于另外包含两个串联的反相器，耦接于所述输出端。

15.如权利要求1所述的负电压检测器，其特征在于所述第二n型通道晶体管的源极接地。

16.如权利要求1所述的负电压检测器，其特征在于所述第一n型通道晶体管与所述第二n型通道晶体管为高压NMOS晶体管。

17.如权利要求1所述的负电压检测器，其特征在于另外包含一负电压隔离元件，设置于第一电流源与所述第一n型通道晶体管之间。

18.如权利要求17所述的负电压检测器，其特征在于所述负电压隔离元件包含一p型通道晶体管，其源极耦接于所述第一电流源，且其漏极耦接于所述第一n型通道晶体管的漏极。

19.如权利要求17所述的负电压检测器，其特征在于所述p型通道晶体管为高压PMOS晶体管。

20.如权利要求1所述的负电压检测器，其特征在于所述第一n型通道晶体管与所述第二n型通道晶体管形成一源随器。