[发明专利]过电压保护元件的材料、过电压保护元件及其制造方法无效
申请号: | 200610141109.2 | 申请日: | 2006-10-09 |
公开(公告)号: | CN101162619A | 公开(公告)日: | 2008-04-16 |
发明(设计)人: | 刘德邦;张琇云 | 申请(专利权)人: | 佳邦科技股份有限公司 |
主分类号: | H01B1/00 | 分类号: | H01B1/00;H01B1/14;H01C7/12 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 王允方;王东 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 过电压 保护 元件 材料 及其 制造 方法 | ||
1.一种过电压保护元件的材料,其包含:
一非导体粉末;
一金属导体粉末;和
一黏结剂。
2.根据权利要求1所述的过电压保护元件的材料,其中所述非导体粉末的粒径在1到50μm之间。
3.根据权利要求1所述的过电压保护元件的材料,其中所述金属导体粉末的粒径在0.01到5μm之间。
4.根据权利要求1所述的过电压保护元件的材料,其中所述黏结剂包含一玻璃粉末。
5.根据权利要求1所述的过电压保护元件的材料,其中所述黏结剂包含一聚合树脂溶液。
6.根据权利要求1所述的过电压保护元件的材料,其中所述黏结剂包含一玻璃粉末和一聚合树脂溶液。
7.根据权利要求1所述的过电压保护元件的材料,其中所述非导体粉末为一高熔点的碳化物。
8.根据权利要求7所述的过电压保护元件的材料,其中所述高熔点的碳化物为碳化硅。
9.根据权利要求1所述的过电压保护元件的材料,其中所述非导体粉末为一高熔点的氧化物。
10.根据权利要求9所述的过电压保护元件的材料,其中所述高熔点的氧化物为氧化铝。
11.根据权利要求1所述的过电压保护元件的材料,其中所述非导体粉末为一高温玻璃粉末。
12.根据权利要求11所述的过电压保护元件的材料,其中所述高温玻璃粉末为一碳化硅含量为90%以上的玻璃粉末。
13.根据权利要求1所述的过电压保护元件的材料,其中所述金属导体粉末选自下列金属组成的群组,其混和物或其合金:铝、金、镍、铜、铬、铁、锌、铌、钼、钌、铅、铱、钛、银、钯、铂和钨。
14.一种制造一过电压保护元件的方法,其包含:
均匀混和一预定比例的一非导体粉末、一金属导体粉末和一黏结剂以形成一材料膏;
在一衬底上印刷所述材料膏;和
将所述衬底进行一烧成处理以产生所述过电压保护元件。
15.根据权利要求14所述的方法,其中所述在所述衬底上印刷所述材料膏的步骤包含:
在所述衬底上形成一第一电极和一第二电极;和
在所述衬底上印刷所述材料膏,所述材料膏部分地重迭在所述第一电极和所述第二电极上。
16.根据权利要求14所述的方法,其中所述在所述衬底上印刷所述材料膏的步骤包含:
在所述衬底上形成一第一电极;
将所述材料膏印刷在所述衬底上,所述材料膏部分地与所述第一电极重迭;和
在所述衬底上产生一第二电极,所述第二电极部分地与所述材料膏重迭。
17.根据权利要求14所述的方法,如果黏结剂为一玻璃粉末,那么其烧成处理在300到1200℃之间进行。
18.根据权利要求14所述的方法,如果黏结剂为一聚合树脂溶液,那么其烧成处理在室温到600℃之间进行。
19.根据权利要求14所述的方法,如果黏结剂为一玻璃粉末和一聚合树脂溶液,那么其烧成处理在300到600℃之间进行。
20.一种过电压保护元件,其包含:
一第一电极;
一第二电极;和
一多孔结构,其连接在所述第一电极和所述第二电极之间,其中所述多孔结构是
使用根据权利要求1到13中任一权利要求所述的过电压保护元件的材料进行一烧成处理而产生。
21.根据权利要求20所述的过电压保护元件,其中所述多孔结构的孔隙在10μm以下。
22.根据权利要求20所述的过电压保护元件,其中所述多孔结构的孔隙占其体积的5%到90%之间。
23.根据权利要求20所述的过电压保护元件,其进一步包括一衬底,其中所述第一电极和所述第二电极均附着在所述衬底上并相隔一间隙,并且所述多孔结构附着在部分所述第一电极和所述第二电极上方和所述间隙中。
24.根据权利要求20所述的过电压保护元件,其进一步包括一衬底,其中所述第一电极附着在所述衬底上,所述多孔结构附着在所述衬底和所述第一电极上,且所述第二电极附着在所述衬底和所述多孔结构上方。
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