[发明专利]包括具有非对称结构的场效应晶体管的半导体器件和制造该器件的方法无效
| 申请号： | 200610142102.2 | 申请日： | 2006-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1945853A | 公开（公告）日： | 2007-04-11 |
| 发明（设计）人： | 真锅和孝 | 申请（专利权）人： | 尔必达存储器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/108;H01L21/336;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 包括 具有 对称 结构 场效应 晶体管 半导体器件 制造 器件 方法 | ||
【说明书】：
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