[发明专利]像素结构有效
申请号: | 200610142530.5 | 申请日: | 2006-10-23 |
公开(公告)号: | CN101169531A | 公开(公告)日: | 2008-04-30 |
发明(设计)人: | 戴孟杰;柳智忠;张月泙 | 申请(专利权)人: | 中华映管股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/133 | 分类号: | G02F1/133;G02F1/1362;G02F1/1337 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陈亮 |
地址: | 台湾省台北*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 结构 | ||
技术领域
本发明有关于一种液晶显示面板(liquid crystal display panel)的像素(pixel)结构,且特别有关于一种多域垂直配向式(multi-domain verticalalignment,MVA)液晶显示面板的像素结构。
背景技术
现有的液晶显示器多朝向高亮度、高对比、大面积显示与广视角的趋势发展,其中为了改善液晶显示器的视角,已有多种广视角技术被提出。目前较常见的广视角液晶显示器例如有多域垂直配向式液晶显示器、共平面转换式(in-planeswitching,IPS)液晶显示器以及边缘电场转换式(fringe field switching,FFS)液晶显示器等等。
图1为现有的现有的一种应用于多域垂直配向式液晶显示器的像素结构的上视示意图。请参照图1,像素结构100配置于一薄膜晶体管阵列基板上,此像素结构100包括一扫描线110、一数据线120、一薄膜晶体管130、一像素电极140与一凸起物150。其中薄膜晶体管130包括栅极132、半导体层134、源极136a、漏极136b以及接触窗138。栅极132与扫描线110电性连接,而半导体层134配置于栅极132上方。源极136a与漏极136b配置于半导体层134上,其中源极136a与数据线120电性连接。
像素电极140透过接触窗138而与漏极136b电性连接。此外,为了达到液晶分子能够产生多域垂直配向,凸起物150配置于像素电极140上,而在相对的彩色滤光基板(未绘示)上配置多个凸起物(未绘示)。因此,通过凸起物150与凸起物的搭配,可以使得配置于薄膜晶体管阵列基板与彩色滤光基板之间的液晶分子呈现多方向的倾倒,进而达到广视角显示的效果。
虽然上述的多域垂直配向式液晶显示器可以增加视角范围,但是,当视角由0度往90度变化时,此多域垂直配向式液晶显示器的光穿透率(transmission)相对于灰阶(gray level)的迦玛曲线(gamma curve)将有所不同。简单而言,随着视角的改变,此多域垂直配向式液晶显示器所提供的画面的色调及亮度分布失真的程度将越明显。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的就是提供一种像素结构,以降低显示品质随着视角改变的程度。
为达上述或其他目的,本发明提出一种像素结构,其适于通过一多域垂直配向式液晶显示面板的一薄膜晶体管阵列基板的一扫描线与一数据线所控制。此像素结构包括一第一薄膜晶体管、一第二薄膜晶体管、一第一像素电极、一第二像素电极与多个配向构件,其中第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管均电性连接至扫描线与数据线。第一薄膜晶体管具有一第一漏极,且第一像素电极电性连接至第一漏极。第二薄膜晶体管具有一第二漏极,且第二像素电极浮置(floating)于第二漏极的上方,以形成一耦合电容,且第二像素电极与第一像素电极之间具有一电压差。配向构件配置于第一像素电极与第二像素电极上。
在本发明的一实施例中,第一像素电极与第二像素电极的面积比可以是1∶1。
在本发明的一实施例中,第一像素电极与第二像素电极的面积比可以是1∶2。
在本发明的一实施例中,第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管可以是具有一共用源极。
在本发明的一实施例中,第一像素电极与第二像素电极可以是分别位于扫描线的两侧。
在本发明的一实施例中,像素结构还包括一共通线,其配置于第一像素电极与第二像素电极下方。
在本发明的一实施例中,配向构件可以是凸起物或狭缝。
基于上述,由于本发明的像素结构采用两个像素电极,并让其中一个像素电极浮置于两个薄膜晶体管其中之一的漏极上方,以形成耦合电容,故两像素电极之间可产生一电压差。此电压差能使位于两像素电极上方的液晶分子的倾倒角度不同,而降低多域垂直配向式液晶显示面板的光穿透率相对于灰阶的迦玛曲线随着视角改变的程度。
为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举较佳实施例,并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1为现有的一种应用于多域垂直配向式液晶显示器的像素结构的上视示意图。
图2为本发明一实施例的一种像素结构的上视示意图。
图3为图2所示的像素结构的等效电路图。
具体实施方式
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