[发明专利]形成掩模结构的方法和使用其形成微小图形的方法

权利要求书

1.一种制造掩模结构的方法，包括：

在衬底上形成第一掩模，该第一掩模包括具有多个掩模图形部分的第一掩模图形和具有边角部分的第二掩模图形，该多个掩模图形部分在其间具有开口，该边角部分的内侧壁是弯曲的；

在第一掩模上形成牺牲层；

在牺牲层上形成硬掩模层；

部分地除去该硬掩模层，直到邻近于边角部分的牺牲层被露出；以及

除去牺牲层，以由开口中剩下的硬掩模层形成第二掩模。

2.根据权利要求1的方法，其中第一掩模具有与第二掩模基本上相同的刻蚀速率，以及其中牺牲层相对于第一掩模具有刻蚀选择性。

3.根据权利要求1的方法，其中该第一掩模使用与第二掩模基本上相同的材料来形成，以及其中牺牲层使用不同于第一掩模的材料来形成。

4.根据权利要求3的方法，其中使用多晶硅形成该第一和第二掩模，以及其中使用金属氧化物形成该牺牲层。

5.根据权利要求1的方法，其中通过原子层淀积工序形成该牺牲层。

6.根据权利要求1的方法，其中通过各向同性刻蚀工序部分地除去该硬掩模层。

7.一种在衬底上形成微小图形的方法，包括；

在衬底上形成层间绝缘层；

在层间绝缘层上形成第一掩模，该第一掩模包括具有多个掩模图形部分的第一掩模图形和具有边角部分的第二掩模图形，该多个掩模图形部分在其间具有开口，以及该边角部分具有弯曲的内侧壁；

在第一掩模上形成牺牲层；

在牺牲层上形成硬掩模层；

部分地除去该硬掩模层，直到邻近于边角部分的牺牲层的侧壁被露出；

除去牺牲层，以由开口中剩下的硬掩模层形成第二掩模；以及

使用该第一和第二掩模作为刻蚀掩模，部分地刻蚀该层间绝缘层，以在衬底上形成绝缘层间图形。

8.根据权利要求7的方法，其中第一掩模具有与第二掩模基本上相同的刻蚀速率，以及其中牺牲层相对于第一掩模具有刻蚀选择性。

9.根据权利要求7的方法，其中该第一掩模使用与第二掩模基本上相同的材料形成，以及其中牺牲层使用不同于第一掩模的材料形成。

10.根据权利要求9的方法，其中使用多晶硅形成该第一和第二掩模，以及其中使用金属氧化物形成该牺牲层。

11.根据权利要求7的方法，其中通过原子层淀积工序形成该牺牲层。

12.根据权利要求1的方法，其中通过各向同性刻蚀工序部分地除去该硬掩模层。