[发明专利]形成掩模结构的方法和使用其形成微小图形的方法有效
申请号: | 200610142919.X | 申请日: | 2006-10-31 |
公开(公告)号: | CN101135840A | 公开(公告)日: | 2008-03-05 |
发明(设计)人: | 李斗烈;赵汉九;李昔柱;吕起成;高次元;丁成坤 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F7/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 林宇清;谢丽娜 |
地址: | 韩国京畿道水*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 形成 结构 方法 使用 微小 图形 | ||
1.一种制造掩模结构的方法,包括:
在衬底上形成第一掩模,该第一掩模包括具有多个掩模图形部分的第一掩模图形和具有边角部分的第二掩模图形,该多个掩模图形部分在其间具有开口,该边角部分的内侧壁是弯曲的;
在第一掩模上形成牺牲层;
在牺牲层上形成硬掩模层;
部分地除去该硬掩模层,直到邻近于边角部分的牺牲层被露出;以及
除去牺牲层,以由开口中剩下的硬掩模层形成第二掩模。
2.根据权利要求1的方法,其中第一掩模具有与第二掩模基本上相同的刻蚀速率,以及其中牺牲层相对于第一掩模具有刻蚀选择性。
3.根据权利要求1的方法,其中该第一掩模使用与第二掩模基本上相同的材料来形成,以及其中牺牲层使用不同于第一掩模的材料来形成。
4.根据权利要求3的方法,其中使用多晶硅形成该第一和第二掩模,以及其中使用金属氧化物形成该牺牲层。
5.根据权利要求1的方法,其中通过原子层淀积工序形成该牺牲层。
6.根据权利要求1的方法,其中通过各向同性刻蚀工序部分地除去该硬掩模层。
7.一种在衬底上形成微小图形的方法,包括;
在衬底上形成层间绝缘层;
在层间绝缘层上形成第一掩模,该第一掩模包括具有多个掩模图形部分的第一掩模图形和具有边角部分的第二掩模图形,该多个掩模图形部分在其间具有开口,以及该边角部分具有弯曲的内侧壁;
在第一掩模上形成牺牲层;
在牺牲层上形成硬掩模层;
部分地除去该硬掩模层,直到邻近于边角部分的牺牲层的侧壁被露出;
除去牺牲层,以由开口中剩下的硬掩模层形成第二掩模;以及
使用该第一和第二掩模作为刻蚀掩模,部分地刻蚀该层间绝缘层,以在衬底上形成绝缘层间图形。
8.根据权利要求7的方法,其中第一掩模具有与第二掩模基本上相同的刻蚀速率,以及其中牺牲层相对于第一掩模具有刻蚀选择性。
9.根据权利要求7的方法,其中该第一掩模使用与第二掩模基本上相同的材料形成,以及其中牺牲层使用不同于第一掩模的材料形成。
10.根据权利要求9的方法,其中使用多晶硅形成该第一和第二掩模,以及其中使用金属氧化物形成该牺牲层。
11.根据权利要求7的方法,其中通过原子层淀积工序形成该牺牲层。
12.根据权利要求1的方法,其中通过各向同性刻蚀工序部分地除去该硬掩模层。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备