[发明专利]应用于存储器的多稳态感测放大器

权利要求书

1.一种存储器的多稳态感测放大器，耦接至至少一存储单元以及多个参考单元，该多稳态感测放大器包括：

源极跟随器，耦接于该存储单元的输出端与第一输出节点之间，使该存储单元产生存储单元电流；

源极跟随电路，耦接于该等多个参考单元的输出端与多个第二输出节点之间，使该等参考单元产生多个参考电流；以及

电流镜电路，耦接至该第一输出节点与该等第二输出节点，分别于该第一输出节点与该等第二输出节点产生存储单元电位与多个参考电位。

2.根据权利要求1所述的存储器的多稳态感测放大器，其中该存储单元的阻值为可变，该存储单元电流由该存储单元的电阻性存储单元值决定，而该等参考电流分别由该等参考单元的电阻性参考单元值决定。

3.根据权利要求1所述的存储器的多稳态感测放大器，其中该存储单元电位与该等参考电位的相对大小是反映该存储单元的电阻性存储单元值与该等参考单元的电阻性参考单元值的相对高低关系。

4.根据权利要求1所述的存储器的多稳态感测放大器，还包括预先充电电路，耦接至该第一输出节点与该等第二输出节点，根据预充电信号，耦接该第一输出节点与该等第二输出节点，于读取该存储单元前，使该等参考电位与该存储单元电位位于相同或接近电平。

5.根据权利要求1所述的存储器的多稳态感测放大器，还包括电压钳位电路，耦接至该等第二输出节点，根据电压钳位信号，于该存储单元耦接至该感测放大器时，将该等第二输出节点的电位保持为第一限制电压。

6.根据权利要求1所述的存储器的多稳态感测放大器，其中该电流镜电路包括：

第一晶体管，其源极耦接至电压源，其栅极与漏极皆耦接至该第一输出节点，于该第一输出节点产生该存储单元电位；以及

多个第二晶体管，其源极皆耦接至该电压源，其栅极皆耦接至该第一输出节点，而其漏极分别耦接至该等第二输出节点其中之一，分别于该等第二输出节点产生该等参考电位。

7.根据权利要求1所述的存储器的多稳态感测放大器，其中该源极跟随器包括第三晶体管，或可为其它可实施的限制电压电路，其栅极耦接至第二限制电压，其漏极耦接至该第一输出节点，其源极耦接至该存储单元的输出端，用以限定跨越过该存储单元的电位差；而该源极跟随电路包括多个第四晶体管，或可为其它可实施的限制电压电路，其栅极皆耦接至该第二限制电压，其漏极分别耦接至该等第二输出节点其中之一，其源极分别耦接至该等参考单元其中之一的输出端。

8.根据权利要求4所述的存储器的多稳态感测放大器，其中该预先充电电路包括多个第一开关，分别耦接于该第一输出节点与该等第二输出节点其中之一之间，而该预充电信号是导通该等第一开关，耦接该第一输出节点与该等第二输出节点。

9.根据权利要求5所述的存储器的多稳态感测放大器，其中该电压钳位电路包括多个第二开关，分别耦接于该第一限制电压与该等第二输出节点其中之一之间，而该电压钳位信号是导通该等第二开关，以将该等第二输出节点耦接至该第一限制电压。

10.根据权利要求1所述的存储器的多稳态感测放大器，其中该存储单元为具有2^N种稳定阻值状态的磁阻性随机存取存储器单元，而该等多个参考单元的数目为2^N-1个且具有不同的阻值，其中N为该存储单元储存的位数。

11.根据权利要求1所述的存储器的多稳态感测放大器，其中该存储单元为具有2^N种稳定阻值状态的电阻性存储器单元，其中N为该存储单元储存的位数。

12.根据权利要求1所述的存储器的多稳态感测放大器，其中每一该等参考单元可由两电阻性存储单元相联于该参考单元的输出端与地电位之间而形成。

13.根据权利要求1所述的存储器的多稳态感测放大器，其中每一该等参考单元由多个电阻性存储单元相联于该参考单元的输出端与地电位之间，或以其它方式形成。

14.根据权利要求1所述的存储器的多稳态感测放大器，其中该多稳态感测放大器还耦接至比较器，每一该等比较器将该存储单元电位与该等参考电位其中之一相比较，而分别产生比较结果信号。