[发明专利]缺陷存储单元的筛选方法

权利要求书

1.一种缺陷存储单元的筛选方法，用于一内存上，该内存具有N个存储单元(cells)，N为大于1的正整数，该N个存储单元系为一第1～N个存储单元，该方法包括：

验证该第i个存储单元是否抹除成功，i为小于或等于N的正整数；

若该第i个存储单元抹除成功时，检查该第i个存储单元是否为该第N个存储单元；

若该第i个存储单元抹除失败时，抹除该N个存储单元一次，并检查该第i个存储单元是否为该第N个存储单元；以及

若该第i个存储单元不是该第N个存储单元，验证该第i+1个存储单元是否抹除成功。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，各该存储单元具有一控制栅极、一源极及-漏极，该验证该第i个存储单元的步骤更包括：

施加一第一电压于该第i个存储单元的该控制栅极；

施加一第二电压于该第i个存储单元的该漏极，该第一电压异于该第二电压；以及

量测该第i个存储单元的该源极及该漏极之间的电流是否大于一抹除验证电流值。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：

若该第i个存储单元的该源极及该漏极之间的电流大于该抹除验证电流值，决定该第i个存储单元通过抹除验证；以及

若该第i个存储单元的该源极及该漏极之间的电流小于或等于该抹除验证电流值，决定该第i个存储单元未通过抹除验证。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，该第一电压及该第二电压分别为4伏特(V)及1伏特(V)，该抹除验证电流值为20微安培(μA)。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，更包括：

若该第i个存储单元是该第N个存储单元，验证该第j个存储单元是否抹除成功，j为小于或等于N的正整数；

若该第j个存储单元抹除成功时，检查该第j个存储单元是否为该第N个存储单元；

若该第j个存储单元抹除失败时，筛选该第j个存储单元为一缺陷存储单元，并检查该第j个存储单元是否为该第N个存储单元；

若该第j个存储单元不是该第N个存储单元，验证该第j+1个存储单元是否抹除成功；以及

若该第j个存储单元是该第N个存储单元，结束该方法。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，各该存储单元具有一控制栅极、一源极及一漏极，该验证该第j个存储单元的步骤更包括：

施加一第一电压于该第j个存储单元的该控制栅极；

施加一第二电压于该第j个存储单元的该漏极，该第一电压异于该第二电压；以及

量测该第j个存储单元的该源极及该漏极之间的电流是否大于一抹除验证电流值。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：

若该第j个存储单元的该源极及该漏极之间的电流大于该抹除验证电流值，决定该第j个存储单元通过抹除验证；以及

若该第j个存储单元的该源极及该漏极之间的电流小于或等于该抹除验证电流值，决定该第j个存储单元未通过抹除验证。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，该第一电压及该第二电压分别为4伏特及1伏特，该抹除验证电流值为20微安培。

9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，该检查第j个存储单元的步骤更包括：

检查该第j个存储单元的地址是否为该第N个存储单元的地址。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于：

若该第j个存储单元的地址为该第N个存储单元的地址，决定该第j个存储单元为该第N个存储单元；以及

若该第j个存储单元的地址不是该第N个存储单元的地址，决定该第j个存储单元不是该第N个存储单元。

11.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，该筛选该第j个存储单元为该缺陷存储单元的步骤更包括：

记录该第j个存储单元的地址。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该检查第i个存储单元的步骤更包括：

检查该第i个存储单元的地址是否为该第N个存储单元的地址。