[发明专利]不受温度变化及供应电压变化影响的稳定振荡器

权利要求书

1.一比较器，其特征在于，用于振荡器电路并具有一自我偏压的参考电压，包含：

一耗尽型金属氧化物半导体晶体管网络，形成定电流等效连接，其中所述耗尽型金属氧化物半导体晶体管的一栅极以及一源极间连接；以及

一增强型金属氧化物半导体晶体管网络，其中所述增强型金属氧化物半导体晶体管的一漏极或一源极与所述耗尽型金属氧化物半导体晶体管串联，其一栅极端可接收一输入电压，当所述输入电压低于参考电压时，所述比较器输出一高电平信号，当所述输入电压高于所述参考电压时，所述比较器输出一低电平信号。

2.根据权利要求1所述的比较器，其特征在于，当所述输入电压等于所述参考电压时，所述比较器输出所述参考电压。

3.根据权利要求1所述的比较器，其特征在于，所述参考电压值不受外部电源变化的影响。

4.根据权利要求1所述的比较器，其特征在于，所述参考电压值不受外部温度变化的影响。

5.根据权利要求1所述的比较器，其特征在于，所述耗尽型金属氧化物半导体晶体管网络包含至少一耗尽型金属氧化物半导体晶体管。

6.根据权利要求1所述的比较器，其特征在于，所述增强型金属氧化物半导体晶体管网络包含至少一增强型金属氧化物半导体晶体管。

7.根据权利要求1所述的比较器，其特征在于，定电流源等效连接是指所述耗尽型金属氧化物半导体晶体管的栅极与源极间彼此连接。

8.根据权利要求4所述的比较器，其特征在于，定电流源等效连接是指所述耗尽型金属氧化物半导体晶体管的栅极与源极间彼此连接。

9.根据权利要求5所述的比较器，其特征在于，所述参考电压可为所述耗尽型金属氧化物半导体晶体管网络以及所述增强型金属氧化物半导体晶体管网络的端电压值的总和。

10.根据权利要求6所述的比较器，其特征在于，所述参考电压可为所述耗尽型金属氧化物半导体晶体管网络以及所述增强型金属氧化物半导体晶体管网络的端电压值的总和。

11.根据权利要求5所述的比较器，其特征在于，所述参考电压值可通过所述耗尽型金属氧化物半导体晶体管网络以及所述增强型金属氧化物半导体晶体管网络的工艺参数进行调整。

12.根据权利要求6所述的比较器，其特征在于，所述参考电压值可通过所述耗尽型金属氧化物半导体晶体管网络以及所述增强型金属氧化物半导体晶体管网络的工艺参数进行调整。

13.一振荡器电路，其特征在于，包含：

一电流源，提供所述振荡器电路所需的一充电电流；

一电容网络，与所述电流源连接于一参考节点，利用所述电流进行充电或放电；

一开关，与所述电容网络连接于所述参考节点，控制所述振荡器中充电或放电模式的切换；

一比较器，与所述开关连接于所述参考节点，具有独立于电压源变化的一参考电压，通过比较所述电容网络的电压以及所述参考电压而产生一输出信号；以及

一反相网络，分别与所述开关以及所述比较器连接，接收所述输出信号并输出一反相信号以控制所述开关。

14.根据权利要求13所述的振荡器电路，其特征在于，所述电流源输出独立于电压源变化的一电流以对所述电容进行充电。

15.根据权利要求13所述的振荡器电路，其特征在于，所述输出信号至少具有两类输出位阶。

16.根据权利要求13所述的振荡器电路，其特征在于，所述充电电流具有独立于电压源变化的特性。

17.根据权利要求13所述的振荡器电路，其特征在于，所述参考电压也独立温度变化影响。

18.根据权利要求16所述的振荡器电路，其特征在于，所述参考电压独立于温度变化影响。

19.根据权利要求13所述的振荡器电路，其特征在于，所述电流源包含一耗尽型金属氧化物半导体晶体管网络以及两增强型金属氧化物半导体晶体管网络。

20.根据权利要求13所述的振荡器电路，其特征在于，所述比较器包含一耗尽型金属氧化物半导体晶体管网络以及一增强型金属氧化物半导体晶体管网络。