[发明专利]图像传感器及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200610143569.9 申请日: 2006-11-09
公开(公告)号: CN101179089A 公开(公告)日: 2008-05-14
发明(设计)人: 吴沂庭 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L21/822
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 图像传感器 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种图像传感器,包括:

多个光电二极管掺杂区,位于基底中;

保护层,位于该基底上方;

介电层,位于该保护层与该基底之间,且覆盖该些光电二极管掺杂区;以及

多个彩色滤光片,设置于该介电层中,且与该些光电二极管掺杂区相对应。

2.如权利要求1所述的图像传感器,其中该彩色滤光片设置于该介电层中的高度大致相同。

3.如权利要求2所述的图像传感器,其中该彩色滤光片设置于紧邻该基底表面的该介电层中。

4.如权利要求2所述的图像传感器,其中该些彩色滤光片设置于紧邻该保护层的该介电层中。

5.如权利要求2所述的图像传感器,其中该些彩色滤光片设置于该介电层中未与该保护层接触且未与该基底接触之处。

6.如权利要求1所述的图像传感器,其中该些彩色滤光片设置于该介电层中的高度不相同。

7.如权利要求6所述的图像传感器,其中该些彩色滤光片分别设置于该介电层中紧邻该基底表面之处、紧邻该保护层之处、和未与该保护层接触且未与该基底接触之处。

8.如权利要求1所述的图像传感器,其中该些彩色滤光片中至少有一者包括至少一第一彩色滤光片与一第二彩色滤光片,分别设置于该介电层中不同高度之处且对应于同一光电二极管掺杂区。

9.如权利要求1所述的图像传感器,还包括抗反射层,配置于该基底与该介电层之间。

10.如权利要求1所述的图像传感器,其中该介电层包括内介电层与金属层间介电层,且该些彩色滤光片位于该内介电层中、位于该金属层间介电层中或位于该内介电层与该金属层间介电层之间。

11.如权利要求1所述的图像传感器,其中该些彩色滤光片的材质为无机材料。

12.如权利要求1所述的图像传感器,还包括多个微透镜,设置于该保护层上与该些光电二极管掺杂区相对应。

13.一种图像传感器的制造方法,包括:

在基底中形成多个光电二极管掺杂区;

在该基底上形成介电层与多个彩色滤光片,其中该些彩色滤光片与该些光电二极管掺杂区相对应;以及

在形成该介电层以及该些彩色滤光片之后,于该介电层上形成保护层。

14.如权利要求13所述的图像传感器的制造方法,其中在该基底上形成该介电层与该些彩色滤光片的步骤包括:

在该基底上形成多个第一彩色滤光片,与该些光电二极管掺杂区相对应;以及

在该些第一彩色滤光片周围形成第一介电层。

15.如权利要求14所述的图像传感器的制造方法,还包括:

在该第一介电层上形成多个第二彩色滤光片,与该些第一彩色滤光片相对应对准;以及

在该些第二彩色滤光片周围形成第二介电层。

16.如权利要求14所述的图像传感器的制造方法,其中在该基底上形成该介电层与该些彩色滤光片的步骤包括:

在该基底上形成至少一第一彩色滤光片,与该些光电二极管掺杂区之一相对应;

在该第一彩色滤光片的周围形成第一介电层;

在该第一介电层上形成至少一第二彩色滤光片,与该些光电二极管掺杂区的另一相对应;以及

在该第一介电层上形成第二介电层,覆盖于该第二彩色滤光片周围。

17.如权利要求13所述的图像传感器的制造方法,其中在该基底上形成该介电层与该些彩色滤光片的步骤包括:

在该基底上形成第一介电层;

在该第一介电层中形成多个第一开口,与该些光电二极管掺杂区相对应;以及

在该些第一开口中形成多个第一彩色滤光片。

18.如权利要求17所述的图像传感器的制造方法,还包括:

在该基底上形成第二介电层,以覆盖该些第一彩色滤光片与该第一介电层;

在该第二介电层中形成多个第二开口,与该些第一彩色滤光片相对应对准;以及

在该些第二开口中形成多个第二彩色滤光片。

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