[发明专利]移除光致抗蚀剂层的方法以及开口的形成方法

权利要求书

1.一种移除光致抗蚀剂层的方法，适用于介电层，其中该介电层的上方有图案化光致抗蚀剂层，而该介电层下方有金属硅化物层，且于该介电层与该金属硅化物层之间还有蚀刻终止层，此方法包括：

以该图案化光致抗蚀剂层为掩模，移除部分该介电层，以于该介电层中形成开口，其中该开口裸露出该金属硅化物层上的部分该蚀刻终止层；以及

以无氧等离子体移除该图案化光致抗蚀剂层。

2.如权利要求1所述的移除光致抗蚀剂层的方法，其中该无氧等离子体包括含氢等离子体。

3.如权利要求2所述的移除光致抗蚀剂层的方法，其中该含氢等离子体中的氢气量约占总气体的4％～10％。

4.如权利要求1所述的移除光致抗蚀剂层的方法，其中该无氧等离子体的载体气体包括氮气。

5.如权利要求1所述的移除光致抗蚀剂层的方法，其中该无氧等离子体的载体气体包括惰性气体。

6.如权利要求1所述的移除光致抗蚀剂层的方法，其中该裸露部分蚀刻终止层的厚度约为50～100埃。

7.如权利要求1所述的移除光致抗蚀剂层的方法，其中该蚀刻终止层的材质包括氮化硅、氮碳化硅、氮氧化硅与碳氧化硅。

8.如权利要求1所述的移除光致抗蚀剂层的方法，其中该金属硅化物层的材质包括镍化硅、钛化硅与钴化硅。

9.一种开口的形成方法，该方法包括：

提供基底，该基底上方有介电层，其中该介电层下方有导电层；

于该介电层上形成图案化光致抗蚀剂层；

以该图案化光致抗蚀剂层为掩模，进行各向异性蚀刻工艺，以于该介电层中形成预开口，其中该预开口位于该导电层的正上方，且该预开口的底部裸露部分该介电层；

以含氢等离子体移除该图案化光致抗蚀剂层；以及

开启该预开口成为开口，其中该开口的底部裸露出部分该导电层。

10.如权利要求9所述的开口的形成方法，其中该含氢等离子体中的氢气量约占总气体的4％～10％。

11.如权利要求9所述的开口的形成方法，其中该含氢等离子体的载体气体包括氮气。

12.如权利要求9所述的开口的形成方法，其中该含氢等离子体的载体气体包括惰性气体。

13.如权利要求9所述的开口的形成方法，其中该预开口的底部至该导电层的上表面的距离约为50～100埃。

14.如权利要求9所述的开口的形成方法，其中该导电层的材质包括镍化硅、钛化硅、钴化硅、多晶硅与氮化钛。

15.如权利要求9所述的开口的形成方法，其中该开口包括接触窗开口、介层窗开口以及接点开口。