[发明专利]半导体装置无效

专利信息
申请号: 200610143662.X 申请日: 2006-10-31
公开(公告)号: CN101086984A 公开(公告)日: 2007-12-12
发明(设计)人: 古贺万寿夫;沟尻彻夫;林田幸昌 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L25/07;H01L23/488
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 杨凯;刘宗杰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其特征在于具备:

散热片;

在所述散热片上,设成与所述散热片接触的第一绝缘衬底;

设于所述第一绝缘衬底上的半导体元件;

设于所述散热片上的包围所述第一绝缘衬底及所述半导体元件的绝缘性树脂外壳;

在所述散热片上方,与所述散热片及所述第一绝缘衬底相离地安装于所述绝缘性树脂外壳内侧的第二绝缘衬底;

在所述第二绝缘衬底上通过焊接来固定的电阻元件;以及

将所述半导体元件与所述电阻元件电连接的导线。

2.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:

所述第一绝缘衬底设有第一绝缘层和设于所述第一绝缘层上表面的第一导电图案,

所述第一导电图案与所述半导体元件电连接,

所述第二绝缘衬底设有第二绝缘层和设于所述第二绝缘层上表面的第二导电图案,

所述第二导电图案与所述电阻元件通过所述焊接来电连接。

3.如权利要求2所述的半导体装置,其特征在于:

所述第二绝缘衬底的所述第二绝缘层厚度薄于所述第一绝缘衬底的所述第一绝缘层厚度。

4.如权利要求2或3所述的半导体装置,其特征在于:

从所述第一导电图案的外周到所述第一绝缘层的外周的最短距离为第一沿面距离,

从所述第二导电图案的外周到所述第二绝缘层的外周的最短距离为第二沿面距离,

所述第二沿面距离短于所述第一沿面距离。

5.如权利要求2或3所述的半导体装置,其特征在于:

所述第二绝缘衬底还设有在所述第二绝缘层下表面设置的背面图案。

6.如权利要求2或3所述的半导体装置,其特征在于:

所述第二绝缘衬底的所述第二绝缘层由玻璃环氧树脂构成。

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