[发明专利]含高掺杂隧道结的垂直腔面发射激光器有效
| 申请号： | 200610144306.X | 申请日： | 2006-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN101192739A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 王青;何国荣;渠红伟;韦欣;宋国峰;陈良惠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/10;H01S5/30;H01S5/32;H01S5/34;H01S5/024 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掺杂 隧道 垂直 发射 激光器 | ||
1.一种含有高掺杂隧道结的垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括：
一热沉；
一散热片，该散热片制作在热沉上；
一上N型电极，该上N型电极制作在散热片上的中间处；
一上N型DBR层，该上N型DBR层为一倒梯形，该上N型DBR层制作在上N型电极上；
一高铝组分氧化限制层，该高铝组分氧化限制层位于上N型DBR层中间的两侧；
一绝缘层，该绝缘层制作在上N型DBR层的外侧；
一光学谐振腔，该光学谐振腔制作在上N型DBR层上；
一下N型DBR层，该下N型DBR层制作在光学谐振腔上；
一衬底，该衬底制作在下N型DBR层上；
一下N型电极，该下N型电极制作在衬底上，该下N型电极的中间形成一出光窗口。
2.根据权利要求1所述的含有高掺杂隧道结的垂直腔面发射激光器，其特征在于，其中光学谐振腔包括：一隧道结；多量子阱有源区，该多量子阱有源区制作在隧道结上。
3.根据权利要求2所述的含有高掺杂隧道结的垂直腔面发射激光器，其特征在于，其中隧道结包括：一N型层；一P型层，该P型层制作在N型层上。
4.根据权利要求1所述的含有高掺杂隧道结的垂直腔面发射激光器，其特征在于，其中该出光窗口内的衬底上镀有增透膜。
5.根据权利要求1或4所述的含有高掺杂隧道结的垂直腔面发射激光器，其特征在于，其中镀有增透膜的出光窗口的直径范围在50微米到400微米之间。
6.根据权利要求1所述的含有高掺杂隧道结的垂直腔面发射激光器，其特征在于，其中隧道结处于光学谐振腔中的驻波节点处。
7.根据权利要求1所述的含有高掺杂隧道结的垂直腔面发射激光器，其特征在于，其中隧道结的尺寸与管芯尺寸相同，解理后管芯为正方形，边长为100微米到1000微米之间。
8.根据权利要求1所述的含有高掺杂隧道结的垂直腔面发射激光器，其特征在于，其中隧道结的反向电流密度大于300A/cm2，以产生较高的反向隧穿电流。
9.根据权利要求1所述的含有高掺杂隧道结的垂直腔面发射激光器，其特征在于，其中热沉为水冷铜热沉。
10.根据权利要求1所述的含有高掺杂隧道结的垂直腔面发射激光器，其特征在于，其中散热片为金刚石散热片。
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