[发明专利]纳米阵列及其形成方法

权利要求书

1.一种纳米阵列，包括：

高分子基材，具有多个纳米凸起物，与该基材一体成形，其中该纳米凸起物的顶部具有凹口或为弧形表面。

2.如权利要求1所述的纳米阵列，其中该基材与该多个纳米凸起物为相同材料。

3.如权利要求2所述的纳米阵列，其中该高分子基材包括热塑性高分子、热固性高分子或UV固化型高分子。

4.如权利要求3所述的纳米阵列，其中该热塑性高分子包括PMMA、PC、COC、PP、PE、PVC、PET、LCP或TPI。

5.如权利要求3所述的纳米阵列，其中该热固性高分子包括PI或环氧树脂。

6.如权利要求1所述的纳米阵列，其作为自清洁膜。

7.如权利要求1所述的纳米阵列，其作为抗反射膜基板。

8.如权利要求1所述的纳米阵列，其作为吸附基板。

9.如权利要求1所述的纳米阵列，还包括有机或无机镀层，顺应性地披覆在该基材与该多个纳米凸起物之上。

10.如权利要求9所述的纳米阵列，其中该有机镀层包括：聚硅氧烷、硅、导电高分子、OLED、PLED或PEDOT。

11.如权利要求9所述的纳米阵列，其中该无机镀层包括：Zr、Ti、Cu、Ag、Au、Al、Ni、W、Fe、Pt、SiO₂、TiO₂、ITO、GaAs、InGaAs、非晶硅或多晶硅。

12.如权利要求9所述的纳米阵列，其中该有机或无机镀层的厚度为50nm至10μm。

13.如权利要求9所述的纳米阵列，其作为披覆涂层。

14.如权利要求9所述的纳米阵列，其中该纳米凸起物改善该高分子基材与该有机或无机镀层之间的附着力。

15.一种形成纳米阵列的方法，包括：

提供模板，具有多个纳米孔洞；

以该模板在高分子基材上进行压印工艺；以及

将该模板脱膜，在该基材上形成多个纳米凸起物。

16.如权利要求15所述的形成纳米阵列的方法，还包括加入界面处理剂以利该模板脱膜。

17.如权利要求15所述的形成纳米阵列的方法，其中该模板由纯铝经过一或二次阳极处理所制得。

18.如权利要求15所述的形成纳米阵列的方法，还包括形成顺应性的有机或无机镀层于该基材与该多个纳米凸起物上。

19.如权利要求18所述的形成纳米阵列的方法，其中该有机镀层包括：聚硅氧烷、硅、导电高分子、OLED、PLED或PEDOT。

20.如权利要求18所述的形成纳米阵列的方法，其中该无机镀层包括：Zr、Ti、Cu、Ag、Au、Al、Ni、W、Fe、Pt、SiO₂、TiO₂、ITO、GaAs、InGaAs、非晶硅或多晶硅。

21.如权利要求18所述的形成纳米阵列的方法，其中该有机或无机镀层厚度约小于100nm。

22.如权利要求15所述的形成纳米阵列的方法，其中该纳米凸起物的顶部具有凹口或为弧形表面。

23.如权利要求15所述的形成纳米阵列的方法，其中该高分子基材包括热塑性高分子、热固性高分子或UV固化型高分子。

24.如权利要求23所述的形成纳米阵列的方法，其中该热塑性高分子包括：PMMA、PC、COC、PP、PE、PVC、PET、LCP或TPI。

25.如权利要求23所述的形成纳米阵列的方法，其中该热固性高分子包括PI或环氧树脂。