[发明专利]集电体、负极、以及电池无效
| 申请号： | 200610144798.2 | 申请日： | 2006-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN101183714A | 公开（公告）日： | 2008-05-21 |
| 发明（设计）人： | 小西池勇;佐鸟浩太郎;川瀬贤一;广瀬贵一;岩间正之 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01M4/64 | 分类号： | H01M4/64;H01M4/66;H01M4/02;H01M4/38;H01M4/04;H01M10/40 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 宋莉;贾静环 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集电体 负极 以及 电池 | ||
1.包含铜(Cu)作为构成元素的集电体，
其中通过X射线衍射得到的由铜的(220)晶面产生的峰面积为I220，和通过X射线衍射得到的由铜的(200)晶面产生的峰面积为I200时，至少在部分中作为峰面积I220对峰面积I200的比的比率I220/I200为2.5或更小。
2.权利要求1的集电体，其中至少在部分中该比率I220/I200为0.03-2.5。
3.在集电体上设置有活性材料层的负极，
其中该集电体包含铜(Cu)作为构成元素，和
其中通过X射线衍射得到的由铜的(220)晶面产生的峰面积为I220，和通过X射线衍射得到的由铜的(200)晶面产生的峰面积为I200时，至少在部分中作为峰面积I220对峰面积I200的比的比率I220/I200为2.5或更小。
4.权利要求3的负极，其中至少在部分中该比率I220/I200为0.03-2.5。
5.权利要求3的负极，其中该集电体和该活性材料层在其至少部分界面中合金化。
6.权利要求3的负极，其中该活性材料层的至少部分通过选自气相沉积法、喷涂法、和烧成法的一种或多种方法形成。
7.权利要求3的负极，其中该活性材料层包含硅(Si)作为构成元素。
8.一种电池，包括：
正极；
负极；
和电解质，
其中该负极具有集电体和活性材料层，
该集电体包含铜(Cu)作为构成元素，和
其中通过X射线衍射得到的由铜的(220)晶面产生的峰面积为I220，和通过X射线衍射得到的由铜的(200)晶面产生的峰面积为I200时，至少在部分中作为峰面积I220对峰面积I200的比的比率I220/I200为2.5或更小。
9.权利要求8的电池，其中至少在部分中该比率I220/I200为0.03-2.5。
10.权利要求8的电池，其中该集电体和该活性材料层在其至少部分界面中合金化。
11.权利要求8的电池，其中该活性材料层的至少部分通过选自气相沉积法、喷涂法、和烧成法的一种或多种方法形成。
12.权利要求8的电池，其中该活性材料层包含硅(Si)作为构成元素。
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