[发明专利]在半导体器件中制造凹槽栅极的方法有效
| 申请号： | 200610145186.5 | 申请日： | 2006-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN101131924A | 公开（公告）日： | 2008-02-27 |
| 发明（设计）人： | 金承范;南基元 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨生平;杨红梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 凹槽 栅极 方法 | ||
1.一种制造半导体器件中的凹槽栅极的方法，包括：
选择性蚀刻衬底的有源区域以形成凹槽图案；
利用等离子体在凹槽图案上实施后处理；和
在凹槽图案中形成栅极图案。
2.权利要求1的方法，其中实施后处理包括使用包括氟基气体的气体混合物的等离子体。
3.权利要求2的方法，其中所述气体混合物包含氟基气体、氧气(O2)和惰性气体。
4.权利要求3的方法，其中所述氟基气体包含选自四氟甲烷(CF4)、六氟化硫(SF6)、三氟甲烷(CHF3)及其组合的气体。
5.权利要求3的方法，其中所述惰性气体包括氦气(He)。
6.权利要求1的方法，其中实施后处理包括在压力为约2mTorr-约30mTorr的腔室中实施后处理。
7.权利要求6的方法，其中实施后处理包括提供约500W-约2000W的源功率。
8.权利要求6的方法，其中实施后处理包括提供约500W-约2000W的源功率和约100W或更低的偏压功率。
9.权利要求8的方法，其中形成凹槽图案和实施后处理在同一腔室中原位进行。
10.权利要求9的方法，其中形成凹槽图案包括使用包括溴化氢(HBr)、氯气(Cl2)和O2的气体混合物。
11.权利要求10的方法，其中所述气体混合物包含包括HBr和Cl2的气体混合物以及O2，所述包括HBr和Cl2的气体混合物的流量与所述O2的流量之比为约为20∶1或更高。
12.权利要求11的方法，其中HBr流量与Cl2流量之比为约2∶1或更高。
13.权利要求9的方法，其中形成凹槽图案包括在压力约30mTorr或更低的腔室中形成凹槽图案。
14.权利要求1的方法，其中实施后处理包括使用包括氟(F)自由基的等离子体。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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