[发明专利]量测多晶硅线底部形状的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造工艺，具体地说，涉及一种量测多晶硅线底部形状的方法。

背景技术

随着电子设备的尺寸日益减小，多晶硅线底部的形状对电子设备的影响越来越大。有效地监控多晶硅线底部的形状可以保证电子设备更为优异及一致的性能。传统的特征尺寸扫描电子显微镜(CD-SEM)中采用非破损(Nondestructive)方法不能精确的获取多晶硅线底部的信息。如果采用扫描电子显微镜和透射电子显微镜(SEM&TEM)量测，需要对多晶硅进行切割，并通过对切割后多晶硅线截面的分析以获取多晶硅线底部的信息，这种方法会对多晶硅本身造成物理损伤，而且所需要的时间也比较长。

发明内容

本发明的目的在于提供一种量测多晶硅线底部形状的方法，利用该方法可以有效量测多晶硅底部的形状。

为实现上述目的，本发明提供一种量测多晶硅线底部形状的方法，其包括如下步骤：a.捕获多晶硅线底部上的形状，并将捕获到的多晶硅线从上到下划分为第一部分和第二部分；b.通过量测获取第一部分底部的宽度参数和第二部分底部的宽度参数；c.对比两个宽度参数差值。

与现有技术相比，本发明的量测方法不会对多晶硅表面造成损伤，并可以有效且精确获取多晶硅底部的形状。

附图说明

通过以下对本发明一实施例结合其附图的描述，可以进一步理解其发明的目的、具体结构特征和优点。其中，附图为：

图1为本发明多晶硅线的底部形状的示意图。

具体实施方式

在本发明较佳实施例中，利用OCD(光学特征尺寸测量)可以模拟出多晶硅线底部的形状，图1是本发明多晶硅线的底部形状的示意图。首先将捕获到多晶硅线底部的形状从上到下划分为两个部分：第一部分21是多晶硅线底部的上半部分，第一部分21的特征尺寸不会发生变化，第二部分22是多晶硅线底部的下半部分，其最容易出现一些凹陷或是斜脚。然后通过量测获取第一部分21底部211的宽度参数和第二部分22底部221的宽度参数，对比两个宽度参数差值，即可以判断出多晶硅线底部的形状是否发生了变化。

如果第一部分21底部211的宽度大于第二部分22底部221的宽度，则说明第二部分21底部221出现了凹陷；如果第一部分21底部211的宽度小于第二部分22底部221的宽度，则说明第二部分21底部221出现了斜角。

本发明提供的量测方法不仅适用于现有的半导体制程，也适用于65nm以下的半导体制程。