[发明专利]离子化装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体离子化制程，尤其涉及一种离子化装置。

背景技术

在离子化机台中，通常包括一个反应腔(Arc Chamber)，一个阴极(Cathode)以及一个灯丝。反应腔和阴极都是相互绝缘的。反应腔内充有需要离子化的气体，阴极上加有600V及1.6A的电压。反应腔中的气体在阴极和灯丝的作用下被离子化，随后通过专用设备注入到芯片表面。

现有技术中，由于阴极的阴极头是光滑的且位于反应腔内部，被离子化的气体很容易附着在阴极头上，当附着的气体越来越多的时候，这些附着物很容易堵塞在反应腔和阴极中间的细小缝隙中，从而导致阴极和反应腔短接，进而造成机台故障。

发明内容

本发明的目的在于提供一种新的离子化装置，其可以有效防止由于短接造成的故障。

为实现上述目的，本发明提供一种离子化装置，其至少包括一个反应腔和一个阴极，阴极和反应腔相互绝缘且阴极的阴极头伸入反应腔内；其中，阴极伸入反应腔的阴极头表面粗糙。

阴极头的表面利用喷砂机打磨粗糙。离子化装置工作过程中产生的附着物集中附着在阴极头的表面。

与现有技术相比，本发明的阴极头表面粗糙，可以使离子化装置工作过程中产生的附着物集中附着在阴极头的表面，而且不会掉到反应腔和阴极之间的缝隙造成堵塞，有效防止阴极和反应腔短接。

附图说明

通过以下对本发明一实施例结合其附图的描述，可以进一步理解其发明的目的、具体结构特征和优点。其中，附图为：

图1为本发明离子化装置的结构示意图。

具体实施方式

本发明的离子化装置包括一个反应腔(Arc Chamber)2，一个阴极(Cathode)3以及一个灯丝(未图示)。反应腔2内充有需要被离子化的气体。阴极3包括一个阴极头31，该阴极头31伸入反应腔2，且在阴极头31和反应腔中间设有细小缝隙21。该阴极3上加有600V，1.6A的电压。反应腔和阴极都是相互绝缘的。

阴极头31利用喷砂机(未图示)打磨粗糙。在离子化制程中，离子化的气体会产生一些附着物，这些附着物集中附着在阴极头31上，而且由于阴极头31的粗糙表面，附着在阴极头31上的附着物也不会掉到反应腔和阴极头31的缝隙21中，从而有效减少附着物造成反应腔2和阴极3之间的缝隙21的堵塞。