[发明专利]沟槽轮廓参数检测方法有效
| 申请号： | 200610147871.1 | 申请日： | 2006-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101211803A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 黄怡;杜珊珊;陈海华;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 轮廓 参数 检测 方法 | ||
1.一种沟槽轮廓参数检测方法，包括：
提供一半导体衬底；
在所述衬底表面形成沟槽区；
利用光学特征尺寸测量方法测量所述沟槽的轮廓参数。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述沟槽区包括复数个凸棱和沟槽。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述凸棱等间隔周期性排列。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于：所述凸棱和沟槽的宽度和为间距，所述间距为100～800nm。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于：所述凸棱和沟槽的宽度比为1∶1至1∶10。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述轮廓参数包括沟槽深度、凸棱线宽和沟槽宽度。
7.一种用于形成如权利要求1所述沟槽区的掩膜版图，其特征在于：所述掩膜版图包括复数个条状图形，所述条状图形等间隔排列。
8.如权利要求7所述的掩膜版图，其特征在于：所述条状图形的间距为100～800nm。
9.如权利要求8所述的掩膜版图，其特征在于：所述条状图形的宽度与条状图形之间的宽度的比为1∶1至1∶10。
10.一种沟槽轮廓参数检测方法，包括：
提供一半导体衬底；
在所述衬底表面形成复数个凸棱和沟槽；
利用光学特征尺寸测量方法测量所述沟槽深度、凸棱线宽和沟槽宽度。
11.如权利要求10所述的方法，其特征在于：所述凸棱等间隔周期性排列。
12.如权利要求10所述的方法，其特征在于：所述凸棱和沟槽的宽度和为间距，所述间距为100～800nm。
13.如权利要求12所述的方法，其特征在于：所述凸棱和沟槽的宽度比为1∶1至1∶10。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
