[发明专利]升压型开关电源的过压保护电路

权利要求书

1.一种适用于升压型开关电源的过压保护电路，包括分压电路和电压比较器，所述电压比较器比较所述分压电路的输出电压和基准电压后，送入控制逻辑电路得到控制信号，所述过压保护电路进一步包括：

一采样降压电路，其输入端连接所述开关电源的漏极，其输出端连接所述分压电路的输入端，用于采样所述开关电源的漏极电压并进行降压。

2.根据权利要求1所述的适用于升压型开关电源的过压保护电路，其特征在于，

所述采样降压电路包括反向串联的第一PN二极管和第二PN二极管和一电容，其中第一PN二极管的第一端连接所述开关电源的漏极，其第二端连接第二PN二极管的第一端，所述第一PN二极管的第二端与所述电容第一端相接，所述电容的第二端接地，所述第二PN二极管的第二端进一步串联所述分压电路，所述第一PN二极管的反向击穿电压用于判断所述采样电压是否过压，所述第二PN二极管反向阻断所述漏极采样电压。

3.根据权利要求2所述的适用于升压型开关电源的过压保护电路，其特征在于，

所述分压电路包括两串联的电阻，其中第一电阻的输入端连接所述采样降压电路的输出端，第一、第二电阻连接点与所述电压比较器的一输入端相连，所述第二电阻的另一端接地。

4.根据权利要求2所述的适用于升压型开关电源的过压保护电路，其特征在于，

所述分压电路包括两个串联相接的PMOS晶体管组成，其中第一PMOS晶体管的栅极与漏极相接，其源极与所述采样降压电路中第二PN二极管的阴极相连，第二PMOS晶体管的栅极与漏极相接，其源极与第一PMOS管21的漏极相连。

5.根据权利要求4所述的适用于升压型开关电源的过压保护电路，其特征在于，

所述第一、第二PMOS晶体管具有相同的器件尺寸且电性匹配。

6.根据权利要求3或5所述的适用于升压型开关电源的过压保护电路，其特征在于，

所述基准电压电路包括串联的具有负温度系数的电流源和电阻。

7.根据权利要求6所述的适用于升压型开关电源的过压保护电路，其特征在于，

所述的电压比较器包括第一、第二、第六PMOS晶体管和第三、第四NMOS晶体管构成的差分比较电路，第七PMOS晶体管和第八NMOS晶体管构成二级放大电路，对所述差分比较电路的输出进行放大，第五、六、七PMOS晶体管构成电流镜，分别作为一级差分比较电路的尾电流和二级放大电路的偏置电流。