[发明专利]对未掺杂硅玻璃掺杂的表面处理方法无效
申请号: | 200610148165.9 | 申请日: | 2006-12-28 |
公开(公告)号: | CN101209907A | 公开(公告)日: | 2008-07-02 |
发明(设计)人: | 孙玲玲;周俊;单伟中 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | C03C21/00 | 分类号: | C03C21/00 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人: | 顾继光 |
地址: | 201203*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掺杂 玻璃 表面 处理 方法 | ||
1.一种对未掺杂硅玻璃掺杂的表面处理方法,其特征是,对掺杂后的硼硅玻璃或者硼磷硅玻璃采用氧气或者氧化亚氮在射频下进行等离子体处理。
2.根据权利要求1所述的对未掺杂硅玻璃掺杂的表面处理方法,其特征是,进行所述处理时,所述氧气或者氧化亚氮的流量FLOW为:2100标准状态毫升/分≥FLOW≥1900标准状态毫升/分;反应腔内的压力P为:750帕斯卡≥P≥700帕斯卡;反应腔内的温度T为:410摄氏度≥T≥390摄氏度;所述射频的频率F为95MHz≥F≥85MHz;处理时间TIME为:22秒≥TIME≥18秒。
3.根据权利要求2所述的对未掺杂硅玻璃掺杂的表面处理方法,其特征是,进行所述处理时,所述氧气或者氧化亚氮的流量为2000标准状态毫升/分,所述反应腔内的压力为720帕斯卡,反应腔内的温度为400摄氏度,所述射频的频率为90MHz,所述处理时间为20秒。
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