[发明专利]半导体器件及剥离方法以及半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法包括：

在基片上形成金属层；

在所述金属层上形成氧化层；

通过等离子CVD在所述氧化层上形成绝缘层；

在所述绝缘层上形成包括非晶硅和氢的半导体层；

晶化所述半导体层；

形成包括所述半导体层的薄膜晶体管；和

将所述基片从所述薄膜晶体管分离。

2.一种制造半导体器件的方法包括：

在基片上形成金属层；

在所述金属层上形成氧化层；

在所述氧化层上形成包括硅、氧和氮的第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成包括硅、氧和氮的第二绝缘层，其中在第一绝缘层中的氢的组分比大于在第二绝缘层中的氢的组分比；

在所述第二绝缘层上形成包括非晶硅和氢的半导体层；

加热所述半导体层用于脱氢作用；和

晶化所述半导体层；

形成包括所述半导体层的薄膜晶体管；和

将所述基片从所述薄膜晶体管分离。

3.一种制造半导体器件的方法包括：

在基片上形成金属层；

在所述金属层上形成包括硅、氧和氮的第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成包括硅、氧和氮的第二绝缘层，其中在第一绝缘层中的氢的组分比大于在第二绝缘层中的氢的组分比；

在所述第二绝缘层上形成包括非晶硅和氢的半导体层；

加热所述半导体层用于脱氢作用；和

晶化所述半导体层；

形成包括所述半导体层的薄膜晶体管；和

将所述基片从所述薄膜晶体管分离。

4.一种制造半导体器件的方法包括：

在基片上形成金属层；

在所述金属层上形成氧化层；

在所述氧化层上形成包括硅、氧和氮的第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成包括硅、氧和氮的第二绝缘层，其中在第一绝缘层中的氢的组分比大于在第二绝缘层中的氢的组分比；

在所述第二绝缘层上形成包括非晶硅和氢的半导体层；

在410℃或更高的温度对所述基片、金属层、氧化层、第一绝缘层、第二绝缘层和半导体层进行加热；和

形成包括所述半导体层的薄膜晶体管；和

将所述基片从所述薄膜晶体管分离。

5.根据权利要求1-4的任何一个的制造半导体器件的方法，其中所述金属层包括从由Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt组成的组中选择的一种金属。

6.根据权利要求1-4的任何一个的制造半导体器件的方法，其中所述金属层是包括合金材料的单层，所述合金材料的主要成分选自由Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt组成的组。

7.根据权利要求1-4的任何一个的制造半导体器件的方法，其中所述金属层是包括化合物材料的单层，所述化合物材料的主要成分选自由Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt组成的组。

8.根据权利要求1-4的任何一个的制造半导体器件的方法，其中所述金属层是包括合金材料的层的叠层，所述合金材料的主要成分选自由Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt组成的组。

9.根据权利要求1-4的任何一个的制造半导体器件的方法，其中所述金属层是包括化合物材料的层的叠层，所述化合物材料的主要成分选自由Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt组成的组。

10.根据权利要求1-4的任何一个的制造半导体器件的方法，其中所述基片是玻璃基片、石英基片、陶瓷基片、硅基片、金属基片或不锈钢基片。

11.根据权利要求1-4的任何一个的制造半导体器件的方法，其中所述半导体器件被用于显示器件。

12.根据权利要求11的制造半导体器件的方法，其中所述显示器件是液晶显示器件。