[发明专利]用于控制薄膜磁头内保护层退缩的方法无效
| 申请号： | 200610148551.8 | 申请日： | 2006-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN101017666A | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 温斯顿·乔斯;鲁迪·阿亚拉;尼拉杰·马哈德夫 | 申请（专利权）人： | SAE磁学（香港）有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/127 | 分类号： | G11B5/127;G11B5/187;G11B5/60;G11B21/21 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 马高平;杨梧 |
| 地址： | 中国香*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 控制 薄膜 磁头 保护层 退缩 方法 | ||
【权利要求书】：
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