[发明专利]六甲基二硅胺烷沉积装置有效
| 申请号： | 200610148808.X | 申请日： | 2006-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101210308A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 胡晓明;周沅晓;张峻铭 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/12 | 分类号： | C23C14/12;C23C14/24;C23C14/54;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 甲基 二硅胺烷 沉积 装置 | ||
1.一种六甲基二硅胺烷沉积装置，包括：
容器，所述容器内装有六甲基二硅胺烷液体和通有载流气体；
涂布机，所述涂布机内放置有半导体衬底，用于在半导体衬底上形成六甲基二硅胺烷层；
气体通路，用于把容器和涂布机相连，所述气体通路上设置有过滤器，用于过滤六甲基二硅胺烷结晶物；
其特征在于，所述气体通路的过滤器与涂布机接口之间部分温度范围为18至25℃，各处温度差不超过6℃。
2.根据权利要求1所述的六甲基二硅胺烷沉积装置，其特征在于：所述气体通路的过滤器与涂布机接口之间部分套有恒温套管，所述恒温套管为中空，内外壁之间充满恒温循环水，所述恒温循环水的温度范围为18至25℃，所述恒温套管不同之处的温度差不超过6℃。
3.根据权利要求2所述的六甲基二硅胺烷沉积装置，其特征在于：所述恒温套管温度通过温度控制器控制。
4.根据权利要求1所述的六甲基二硅胺烷沉积装置，其特征在于：所述气体通路上还设置有控制阀，所述控制阀位于过滤器与容器之间的气体通路上，用于控制是否输出六甲基二硅胺烷气体。
5.根据权利要求1所述的六甲基二硅胺烷沉积装置，其特征在于：所述容器温度范围为22.8至23.2℃。
6.根据权利要求1所述的六甲基二硅胺烷沉积装置，其特征在于：所述载流气体为氮气。
7.根据权利要求1所述的六甲基二硅胺烷沉积装置，其特征在于：所述涂布机内的半体衬底温度范围为22.8至23.2℃。
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