[发明专利]检测接触孔蚀刻缺陷的方法有效
| 申请号： | 200610148818.3 | 申请日： | 2006-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101211805A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 许向辉;阎海滨;陈思安;陈宏璘 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 检测 接触 蚀刻 缺陷 方法 | ||
1.一种检测接触孔蚀刻缺陷的方法，其特征在于，包括下列步骤：
a.将晶圆分为半导体器件工作区和半导体器件虚拟区，所述半导体器件虚拟区位于半导体工作区边缘；
b.在晶圆上形成介电层；
c.蚀刻介电层至露出晶圆，在半导体器件工作区形成接触孔，在半导体器件虚拟区形成虚拟接触孔；
d.将晶圆放入检测设备，检测虚拟接触孔蚀刻是否完全；
e.如检测出虚拟接触孔蚀刻完全，检测结束，如检测出虚拟接触孔蚀刻不完全，检测离虚拟接触孔最近的接触孔蚀刻是否完全；
f.如检测出接触孔蚀刻完全，检测结束，如检测出接触孔蚀刻仍不完全，由边缘向中心依次类推检测接触孔蚀刻是否完全。
2.根据权利要求1所述的检测接触孔蚀刻缺陷的方法，其特征在于：检测虚拟接触孔的设备为电子扫描显微镜。
3.根据权利要求2所述的检测接触孔蚀刻缺陷的方法，其特征在于：电子扫描显微镜的放大倍率为10000～15000倍。
4.根据权利要求1所述的检测接触孔蚀刻缺陷的方法，其特征在于：所述虚拟接触孔直径与接触孔直径相同。
5.根据权利要求4所述的检测接触孔蚀刻缺陷的方法，其特征在于：所述虚拟接触孔的数量为至少一个。
6.根据权利要求1所述的检测接触孔蚀刻缺陷的方法，其特征在于：步骤c包括：形成待曝光接触孔图形和待曝光虚拟接触孔图形；
将待曝光待曝光接触孔图形和待曝光虚拟接触孔图形转移至光罩上，形成接触孔图形和虚拟接触孔图形；
将光罩上的接触孔图形和虚拟接触孔图形转移至介电层上；
沿接触孔图形和虚拟接触孔图形蚀刻介电层至露出晶圆，在半导体器件工作区形成接触孔，在半导体器件虚拟区形成虚拟接触孔。
7.根据权利要求6所述的检测接触孔蚀刻缺陷的方法，其特征在于：用图形布局软件形成待曝光虚拟接触孔图形。
8.根据权利要求6所述的检测接触孔蚀刻缺陷的方法，其特征在于：用电子束写入装置或激光束写入装置将待曝光虚拟接触孔图形转移至光罩上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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