[发明专利]集成电路元件、芯片及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200610149436.2 申请日: 2006-11-20
公开(公告)号: CN101192604A 公开(公告)日: 2008-06-04
发明(设计)人: 刘彦秀 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L23/485;H01L23/522;H01L21/82
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 集成电路 元件 芯片 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种集成电路芯片,包括:

基底,该基底包括正面、背面,其中该背面与该正面相对应;

多个电路构件与多个内连线位于该基底的正面上;以及

多个焊垫,其包括多层导电层,至少位于该基底的一侧面,该侧面是由该正面的上表面延伸至该背面。

2.如权利要求1所述的集成电路芯片,其中各个焊垫还包括多个连接部,连接相邻的该些导电层。

3.如权利要求1所述的集成电路芯片,其中该些连接部的形状包括柱状或层状。

4.如权利要求3所述的集成电路芯片,其中该些连接部的形状为柱状,且为无规则排列或规则排列。

5.如权利要求4所述的集成电路芯片,其中该有规则排列包括交错排列、并排排列或矩阵排列。

6.如权利要求3所述的集成电路芯片,其中该些连接部的形状为层状且其大小是小于或等于相邻的该些导电层。

7.如权利要求1所述的集成电路芯片,其中该些连接部的大小相同或不相同。

8.一种集成电路元件,包括:

基底,以护环区区分为内部区域与外部区域;

多个电路构件,位于该内部区域的该基底上;

介电层,覆盖于整个基底上;

第一导电层,位于该介电层中;

第二导电层,位于该介电层中;

多个介层窗/连接部,位于该介电层中,电性连接该第一导体层与该第二导体层,

其中:

位于该内部区域的部分该第一导电层、该第二导电层与该些介层窗/连接部构成内连线;以及

位于该外部区域的部分该第一导电层、该第二导电层与该些介层窗/连接部构成多个焊垫结构。

9.如权利要求8所述的集成电路元件,其中各该焊垫结构的该第一导体层与该第二导体层自该护环区延伸至该基底的切割道区域。

10.如权利要求8所述的集成电路元件,其中各该焊垫的该些介层窗/连接部为无规则排列或有规则排列。

11.如权利要求10所述的集成电路元件,其中该有规则排列包括交错排列、并排排列或矩阵排列。

12.如权利要求8所述的集成电路元件,其中各该焊垫的该些介层窗/连接部的大小相同或不相同。

13.如权利要求8所述的集成电路元件,其中各该焊垫的该些介层窗/连接部的大小与该内连线的该些介层窗/连接部的大小相同或不相同。

14.一种集成电路芯片的制造方法,包括:

提供基底,该基底以护环区区分为内部区域与外部区域;

在该基底上的该内部区域中形成多个电路构件;

在整个基底上形成介电层,并在该内部区域的该介电层中形成内连线,同时在该外部区域的该介电层中形成多个第一焊垫结构;以及

沿着该基底的多个切割道切割,以形成多个芯片,各该芯片的侧边裸露出该些第一焊垫结构。

15.如权利要求14所述的集成电路芯片的制造方法,其中该内连线与该些第一焊垫结构的形成方法包括:

在该内部区域以及该外部区域的该介电层中形成多个导电层;

在该内部区域以及该外部区域的该介电层中形成与该些导电层电性连接的多个介层窗/连接部,

其中:

位于该内部区域的部分该些导电层与该些介层窗/连接部构成该内连线;以及

位于该外部区域的部分该些导电层与该些介层窗/连接部构成该些第一焊垫结构。

16.如权利要求14所述的集成电路芯片的制造方法,其中形成该介电层、该内连线与该些第一焊垫结构的方法包括:

在该基底上形成该介电层;

在该介电层中形成多个沟渠与多个介层窗开口/开口;以及

在该些沟渠与该些介层窗开口/开口中填入导电材料,以形成该些导电层与该些介层窗/连接部。

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