[发明专利]高纯锗探测器无源效率刻度的锗晶体尺寸自动调整方法

权利要求书

1.一种高纯锗探测器无源效率刻度的锗晶体尺寸自动调整方法，包括如下步骤：

(1)在一个测量位置处，测量获得三个或三个以上不同E_i能量γ射线全能峰探测效率测量值η_mea(E_i)；

(2)设定高纯锗晶体尺寸参数中晶体死区厚度为T、晶体半径为R、晶体长度为L，依据高纯锗探测器产品说明书给出的晶体原始尺寸T₀、R₀、L₀，进行蒙特卡罗模拟计算，获得步骤(1)中相应的各E_i能量γ射线全能峰探测效率计算值η_cal(E_i)；

(3)若各E_i能量γ射线效率计算值η_cal(E_i)与相应的E_i能量γ射线效率测量值η_mea(E_i)之间的相对误差没有达到要求，则以当前晶体死区厚度T_n为初始值，逐次改变晶体死区厚度T＝T_n+N*Δt，其中n从0开始为整数、Δt为步长、N为整数、此时R_n和L_n保持不变，针对不同E_i能量分别进行蒙特卡罗计算得到一系列与晶体死区厚度T相对应的不同E_i能量γ射线效率计算值η_cal(E_i，T)；采用直线拟合方法，获得当前晶体尺寸T_n、R_n、L_n下，晶体死区厚度T对不同E_i能量γ射线效率计算值的影响公式δη_cal(E_i)＝f_t，Ei(T)；

(4)同理获得晶体半径R对不同E_i能量γ射线效率计算值的影响公式δη_cal(E_i)＝f_r，Ei(R)，晶体长度L对不同E_i能量γ射线效率计算值的影响公式δη_cal(E_i)＝f_l，Ei(L)；由此，得出在当前晶体尺寸T_n、R_n、L_n下，晶体死区厚度T、晶体半径R、晶体长度L对不同E_i能量γ射线效率计算值的总影响公式δη_cal(E_i)＝f_t，Ei(T)+f_r，Ei(R)+f_l，Ei(L)；

(5)对不同E_i能量设定δη_cal(E_i)为当前E_i能量γ射线效率计算值与相应的E_i能量γ射线效率测量值η_mea(E_i)之间相对误差的负数，将上述步骤(4)所得不同E_i能量γ射线效率计算值的总影响公式δη_cal(E_i)＝f_t，Ei(T)+f_r，Ei(R)+f_l，Ei(L)组合起来构建成线性方程组，即可得到第n+1次晶体尺寸T_n+1、R_n+1、L_n+1；

(6)以新的晶体尺寸T_n+1，R_n+1，L_n+1进行蒙特卡罗效率计算，得到新的各E_i能量γ射线效率计算值，若新的各E_i能量γ射线效率计算值与其相应的E_i能量γ射线效率测量值的误差还没有达到要求，则重复步骤(3)至步骤(5)，直至新的不同E_i能量γ射线效率计算值与其相应的E_i能量γ射线效率测量值的误差在允许范围内，此时结束操作，从而得到晶体死区厚度值T、  晶体半径值R、晶体长度L的适合值。