[发明专利]液晶显示器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造液晶显示器件的方法，包括：

利用单掩模在第一基板的像素区域、第一电路区域和第二电路区域上分别形成有源图案并在所述像素区域的所述有源图案上形成存储电极；

在具有所述有源图案和所述存储电极的所述第一基板上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成第一导电层和第二导电层；

构图在所述第一电路区域的所述第一和第二导电层以由所述第二导电层形成第一栅极；

将高浓度的p⁺离子注入到所述第一电路区域的所述有源区中以在所述第一电路区域的所述有源图案中形成p⁺源/漏区；

利用单掩模构图所述第一和第二导电层以在所述第二电路区域中由所述第二导电层形成第二栅极、在所述像素区域中由所述第二导电层形成公共线并且在所述像素区域中由所述第二导电层形成像素电极；

在每个所述像素区域和所述第二电路区域的所述有源图案中形成n⁺源/漏区；

在所述第一绝缘层、所述第一栅极、所述第二栅极、所述公共线和所述像素电极上形成第一中间绝缘层和第二中间绝缘层；

通过部分地除去所述第一绝缘层、所述第一中间绝缘层和所述第二中间绝缘层形成第一接触孔和第二接触孔以暴露在所述第一和第二电路区域的所述有源图案的所述源区和漏区；

形成通过所述第一接触孔分别电连接至所述第一和第二电路区域的所述有源图案的所述源区的源极，并形成通过所述第二接触孔分别电连接至所述第一和第二电路区域的所述有源图案的所述漏区的漏极；以及

粘接所述第一基板与第二基板从而在其间设置液晶层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述形成所述第一接触孔和第二接触孔的步骤中，通过部分地除去所述第一中间绝缘层和所述第二中间绝缘层同时形成开口以暴出像素区域。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成所述有源图案和同时形成存储电极的步骤包括利用衍射掩模。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的形成所述有源图案和同时形成所述存储电极的步骤包括利用半色调掩模。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述像素区域、所述第一电路区域和所述第二电路区域的所述存储电极和所述有源图案通过单轮掩模工序形成。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述像素区、所述第一电路区域和所述第二电路区域的所述有源图案由多晶硅薄膜形成。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述存储电极由导电材料形成。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述注入高浓度的p⁺离子的步骤包括利用所述第一栅极作为掩模将高浓度的p⁺离子注入到所述第一电路区域以在所述第一电路区域的所述有源图案中在所述第一栅极相邻的部分形成p⁺源/漏区。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第一电路区域上形成所述第一栅极的步骤包括：

用第一阻挡层完全遮盖所述像素区域和所述第二电路区域并部分地遮盖所述第一电路区域；以及

利用所述第一阻挡层作为掩模选择性地除去所述第一和第二导电层以形成所述第一栅极。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述的构图所述第一和第二导电层以形成所述第二栅极、所述公共线和所述像素电极的步骤包括：

用第二阻挡层完全遮盖所述第一电路区域并部分地遮盖所述像素区域和所述第二电路区域；

利用所述第二阻挡层作为掩模选择性地除去所述第一和第二导电层以形成所述第二栅极、所述公共线和所述像素电极。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述的构图所述第一和第二导电层以形成所述第二栅极、所述公共线和所述像素电极的步骤包括在所述像素区域中由所述第二导电层形成第三栅极。

12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述的利用所述第二阻挡层选择性地除去所述第一和第二导电层的步骤中，用湿刻工序过蚀刻所述第二栅极和所述公共线，以使所述第二栅极和所述公共线的宽度小于所述第二栅极和所述公共线上方的所述第二阻挡层部分对应的宽度。