[发明专利]太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，包含：

半导体结构组合，该半导体结构组合包含至少一个PN结并且具有照射面；以及

由至少一种氧化物所形成的第一多层原子层结构，该第一多层原子层结构覆盖该半导体结构组合的该照射面，其中该第一多层原子层结构被用作表面钝化层以及第一透明导电层。

2.如权利要求1所述的太阳能电池，其中该至少一种氧化物包含氧化铝。

3.如权利要求2所述的太阳能电池，其中该氧化铝经过原子层沉积处理并在范围为从室温至400℃中的处理温度下形成于该第一多层原子层结构内。

4.如权利要求3所述的太阳能电池，其中该氧化铝的该原子层沉积处理的原料采用TMA前体与H₂O前体或O₃前体。

5.如权利要求3所述的太阳能电池，其中该氧化铝沉积并覆盖在该半导体结构组合的该照射面上至一厚度，以提供该表面钝化层的功能。

6.如权利要求5所述的太阳能电池，其中该至少一种氧化物还包含氧化锌。

7.如权利要求6所述的太阳能电池，其中该第一多层原子层结构大体上视为掺杂铝的氧化锌层，该掺杂铝的氧化锌层具有一锌原子/铝原子比例以及一沉积厚度，以使该掺杂铝的氧化锌层提供抗反射层的功能。

8.如权利要求7所述的太阳能电池，其中在该掺杂铝的氧化锌层中该氧化铝以N层原子层形式存在，N为自然数。

9.如权利要求6所述的太阳能电池，其中该氧化锌经过原子层沉积处理，并在范围为从室温至400℃中的处理温度下形成于该第一多层原子层结构内。

10.如权利要求9所述的太阳能电池，其中该氧化锌的该原子层沉积处理的原料采用DEZn前体与H₂O前体或O₃前体。

11.如权利要求1所述的太阳能电池，其中该半导体结构组合还包含硅基材。

12.如权利要求1所述的太阳能电池，其中该半导体结构组合还具有为该照射面的反面的下表面，该太阳能电池进一步包含由该至少一种氧化物组成且覆盖该半导体结构组合的下表面的第二多层原子层结构以及覆盖该第二多层原子层结构的被反射层，该第二多层原子层结构提升该被反射层对未被吸收的长波长光线的反射率。

13.如权利要求1所述的太阳能电池，其中该半导体结构组合的该照射面经过表面粗糙化处理。

14.一种制造太阳能电池的方法，该方法包含下列步骤：

形成半导体结构组合，该半导体结构组合包含至少一个PN结且具有照射面；以及

形成由至少一种氧化物组成的第一多层原子层结构，该第一多层原子层结构覆盖该半导体结构组合的该照射面，其中该多层原子层结构被用作表面钝化层以及第一透明导电层。

15.如权利要求14所述的方法，其中该至少一种氧化物包含氧化铝。

16.如权利要求15所述的方法，其中该氧化铝经过原子层沉积处理，并在范围为从室温至400℃中的处理温度下形成于该第一多层原子层结构内。

17.如权利要求16所述的方法，其中该氧化铝的该原子层沉积处理的原料采用TMA前体与H₂O前体或O₃前体。

18.如权利要求16所述的方法，其中该氧化铝沉积并覆盖在该半导体结构组合的该照射面上至一厚度，以提供该表面钝化层的功能。

19.如权利要求18所述的方法，其中该至少一种氧化物还包含氧化锌。

20.如权利要求19所述的方法，其中该第一多层原子层结构大体上视为掺杂铝的氧化锌层，该掺杂铝的氧化锌层具有一锌原子/铝原子比例以及沉积厚度，以使该掺杂铝的氧化锌层提供抗反射层的功能。

21.如权利要求20所述的方法，其中在该掺杂铝的氧化锌层中该氧化铝以N层原子层形式存在，N为自然数。

22.如权利要求19所述的方法，其中该氧化锌经过原子层沉积处理，并在范围为从室温至400℃中的处理温度下形成于该第一多层原子层结构内。