[发明专利]有机薄膜三极管传感器、制作方法及用途有效
申请号: | 200610151098.6 | 申请日: | 2006-12-05 |
公开(公告)号: | CN101196489A | 公开(公告)日: | 2008-06-11 |
发明(设计)人: | 赵洪;王东兴;殷景华;王喧;桂太龙;宋明歆 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨理工大学 |
主分类号: | G01N27/414 | 分类号: | G01N27/414;H01L51/00 |
代理公司: | 哈尔滨东方专利事务所 | 代理人: | 陈晓光 |
地址: | 150080黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 薄膜 三极管 传感器 制作方法 用途 | ||
1.一种有机薄膜三极管传感器,其组成包括:铝蒸发膜构成的栅极,其特征是:所述的铝蒸发膜栅极两侧具有有机半导体的酞菁铜薄膜,两者之间形成肖特基壁垒,源极和漏极采用与酞菁铜蒸发膜成欧姆性接触的金蒸发膜,所述的漏极为多孔的金电极,所述的漏极和酞菁铜之间具有有机气体敏感膜。
2.根据权利要求1所述的有机薄膜三极管传感器,其特征是:所述的酞菁铜可采用镧系金属配合物的双核酞菁、稀土金属配位的三明治结构酞菁、16氟取代的酞菁锌。
3.一种权利要求1或2所述的有机薄膜三极管传感器的制作方法,其特征是:首先在玻璃基板上制作金蒸发膜源电极,然后制作第一层CuPc蒸发膜,和制作薄膜铝栅极及第二层CuPc薄膜,最后制作金蒸发膜漏电极。试样制作的条件是,CuPc的蒸发温度为400℃、基板温度为室温20℃,上下二层CuPc薄膜膜厚由蒸发时间控制、蒸发速度为3nm/min。上下二层CuPc薄膜膜厚度分别为70nm,130nm,半导电薄膜铝栅极厚度为20nm。
4.一种权利要求1、2、3所述的有机薄膜三极管传感器在特定气体微量的测定方面的应用。
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