[发明专利]有机薄膜三极管传感器、制作方法及用途有效

专利信息
申请号: 200610151098.6 申请日: 2006-12-05
公开(公告)号: CN101196489A 公开(公告)日: 2008-06-11
发明(设计)人: 赵洪;王东兴;殷景华;王喧;桂太龙;宋明歆 申请(专利权)人: 哈尔滨理工大学
主分类号: G01N27/414 分类号: G01N27/414;H01L51/00
代理公司: 哈尔滨东方专利事务所 代理人: 陈晓光
地址: 150080黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 有机 薄膜 三极管 传感器 制作方法 用途
【权利要求书】:

1.一种有机薄膜三极管传感器,其组成包括:铝蒸发膜构成的栅极,其特征是:所述的铝蒸发膜栅极两侧具有有机半导体的酞菁铜薄膜,两者之间形成肖特基壁垒,源极和漏极采用与酞菁铜蒸发膜成欧姆性接触的金蒸发膜,所述的漏极为多孔的金电极,所述的漏极和酞菁铜之间具有有机气体敏感膜。

2.根据权利要求1所述的有机薄膜三极管传感器,其特征是:所述的酞菁铜可采用镧系金属配合物的双核酞菁、稀土金属配位的三明治结构酞菁、16氟取代的酞菁锌。

3.一种权利要求1或2所述的有机薄膜三极管传感器的制作方法,其特征是:首先在玻璃基板上制作金蒸发膜源电极,然后制作第一层CuPc蒸发膜,和制作薄膜铝栅极及第二层CuPc薄膜,最后制作金蒸发膜漏电极。试样制作的条件是,CuPc的蒸发温度为400℃、基板温度为室温20℃,上下二层CuPc薄膜膜厚由蒸发时间控制、蒸发速度为3nm/min。上下二层CuPc薄膜膜厚度分别为70nm,130nm,半导电薄膜铝栅极厚度为20nm。

4.一种权利要求1、2、3所述的有机薄膜三极管传感器在特定气体微量的测定方面的应用。

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