[发明专利]修正光掩模上图形的方法与系统及使用该方法的存储介质无效

专利信息
申请号: 200610151536.9 申请日: 2006-09-11
公开(公告)号: CN101144982A 公开(公告)日: 2008-03-19
发明(设计)人: 麦永庆;萧立东 申请(专利权)人: 力晶半导体股份有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;H01L21/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 修正 光掩模上 图形 方法 系统 使用 存储 介质
【权利要求书】:

1.一种修正光掩模上图形的方法,包括下列步骤:

利用根据第一曝光条件建立的光学模型在二维坐标平面上产生第一能量曲线,利用根据第二曝光条件所建立的光学模型在该二维坐标平面上产生第二能量曲线,并且利用根据第三曝光条件所建立的光学模型在该二维坐标平面上产生第三能量曲线;

根据上述第一曝光条件计算出第一成像临界值,根据上述第二曝光条件计算出第二成像临界值,并且根据上述第三曝光条件计算出第三成像临界值;

根据光掩模上图形、容许误差上限与容许误差下限,产生对应该第二能量曲线的第一检查点与第二检查点和对应该第三能量曲线的第三检查点与第四检查点;

判断该第一检查点与该第二检查点是否分别落在该第二成像临界值的两边,并且该第三检查点与该第四检查点是否分别落在该第三成像临界值的两边;并且

若否,则修正该光掩模上图形,然后重复上述判断步骤。

2.如权利要求1所述的修正光掩模上图形的方法,其中还包括根据该光掩模上图形,该第二能量曲线与该容许误差上限与容许误差下限相交而产生该第一检查点与该第二检查点,该第三能量曲线与该容许误差上限与容许误差下限相交而产生该第三检查点与该第四检查点。

3.如权利要求1所述的修正光掩模上图形的方法,其还包括修正该光掩模上图形,使得该第一检查点、该第二检查点、该第三检查点与该第四检查点分别落在该第二成像临界值与该第三成像临界值的两边,从而使得在晶片上成像的图形的边界落在该容许误差上限和该容许误差下限之间。

4.如权利要求1所述的修正光掩模上图形的方法,其中,该第一能量曲线位于该第二能量曲线与该第三能量曲线之间。

5.一种修正光掩模上图形的系统,包括:

设定单元,其定义容许误差上限、容许误差下限、第一曝光条件、第二曝光条件和第三曝光条件;

计算单元,其利用根据第一曝光条件建立的光学模型在二维坐标平面上产生第一能量曲线,利用根据第二曝光条件所建立的光学模型在该二维坐标平面上产生第二能量曲线,并且利用根据第三曝光条件所建立的光学模型在该二维坐标平面上产生第三能量曲线,根据上述第一曝光条件计算出第一成像临界值,根据上述第二曝光条件计算出第二成像临界值,并且根据上述第三曝光条件计算出第三成像临界值,以及根据光掩模上图形、容许误差上限与容许误差下限,产生对应该第二能量曲线的第一检查点与第二检查点和对应该第三能量曲线的第三检查点与第四检查点;

判断单元,其判断该第一检查点与该第二检查点是否分别落在该第二成像临界值的两边,并且该第三检查点与该第四检查点是否分别落在该第三成像临界值的两边;和

修正单元,若该第一检查点、该第二检查点、该第三检查点与该第四检查点未分别落在该第二成像临界值与该第三成像临界值的两边,则修正该光掩模上图形。

6.如权利要求5所述的修正光掩模上图形的系统,其中,该修正单元修正该光掩模上图形后,该判断单元重复执行该判断操作。

7.如权利要求5所述的修正光掩模上图形的系统,其中,该计算单元根据该光掩模上图形,该第二能量曲线与该容许误差上限与容许误差下限相交而产生该第一检查点与该第二检查点,该第三能量曲线与该容许误差上限与容许误差下限相交而产生该第三检查点与该第四检查点。

8.如权利要求5所述的修正光掩模上图形的系统,其中,该修正单元修正该光掩模上图形,使得该第一检查点、该第二检查点、该第三检查点与该第四检查点分别落在该第二成像临界值与该第三成像临界值的两边,从而使得在晶片上成像的图形的边界落在该容许误差上限和该容许误差下限之间。

9.如权利要求5所述的修正光掩模上图形的系统,其中,该第一能量曲线位于该第二能量曲线与该第三能量曲线之间。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于力晶半导体股份有限公司,未经力晶半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200610151536.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top