[发明专利]高效率荧光体转换发光装置及其制造方法

权利要求书

1.一种发光装置，包括：

半导体结构，包括发光层，该发光层可发出具第一波长的光；

荧光转换层，位于该半导体结构上方，可吸收该具第一波长的光并转换成具第二波长的光；和

第一光学过滤层，位于该半导体结构与该荧光转换层之间。

2.如权利要求1所述的发光装置，其中该第一光学过滤层由对不同波长的光具有选择性反射率或穿透率的材料所组成。

3.如权利要求2所述的发光装置，其中该第一光学过滤层由特定材料或二种以上材料堆栈或混合而成。

4.如权利要求1所述的发光装置，其中该荧光转换层由一种以上有机或无机发光材料所组成。

5.如权利要求1所述的发光装置，其中该光学过滤层对该第一波长光具有50％以上的穿透率，且该第二波长光具有50％以上的反射率。

6.如权利要求1所述的发光装置，其中该第一光学过滤层由至少二种具不同折射率的材料堆栈组合而成，且该第一光学过滤层的厚度依该材料特性约为数十埃至数十微米之间。

7.如权利要求6所述的发光装置，其中该第一光学过滤层的一种材料具高折射率，其折射率介于2.1-2.6之间，另一种材料具低折射率，其折射率介于1.2-1.6之间。

8.如权利要求7所述的发光装置，其中该第一光学过滤层中的高折射率材料为二氧化钛(TiO₂)、五氧化二铌(Nb₂O₅)或五氧化二钽(Ta₂O₅)。

9.如权利要求7所述的发光装置，其中该第一光学过滤层中的低折射率材料为二氧化硅(SiO₂)或二氟化镁(MgF₂)。

10.如权利要求1所述的发光装置，其中该荧光转换层之上还包括第二光学过滤层。

11.一种发光装置，包括：

半导体结构，包括发光层，该发光层可发出具第一波长的光；

荧光转换层，位于该半导体结构上方，可吸收该具第一波长的光并转换成具第二波长的光；

第一光学过滤层，位于该半导体结构与该荧光转换层间；和

第二光学过滤层，位于该荧光转换层上方。

12.如权利要求11所述的发光装置，其中该第一光学过滤层对该具第一波长的光具有50％以上的穿透率且对该具第二波长的光具有50％以上的反射率。

13.如权利要求11所述的发光装置，其中该第二光学过滤层对该具第一波长的光具有50％以上的反射率且对该具第二波长的光具有50％以上的穿透率。

14.如权利要求11所述的发光装置，其中该第一光学过滤层的材料和该第二光学过滤层的材料各自由二种具不同折射率的材料堆栈组合而成。

15.如权利要求14所述的发光装置，其中该第一光学过滤层的材料和该第二光学过滤层的材料的厚度依材料特性约为数十埃至数十微米之间。

16.如权利要求14所述的发光装置，其中该第一光学过滤层和该第二光学过滤层的材料中的一种材料具高折射率，其折射率介于2.1-2.6之间，另一种材料具低折射率，其折射率介于1.2-1.6之间。

17.如权利要求14所述的发光装置，其中该第一光学过滤层和该第二光学过滤层的材料的高折射率材料为二氧化钛(TiO₂)、五氧化二铌(Nb₂O₅)或五氧化二钽(Ta₂O₅)。

18.如权利要求14所述的发光装置，其中该第一光学过滤层和该第二光学过滤层的材料中的低折射率材料为二氧化硅(SiO₂)或二氟化镁(MgF₂)。