[发明专利]一种用于产生毫米波的集成芯片

权利要求书

1.一种用于产生毫米波的集成芯片，其特征在于，该集成芯片包括：

第一分布反馈激光器(1)、第二分布反馈激光器(2)和3dB耦合器(3)，所述第一分布反馈激光器(1)和第二分布反馈激光器(2)分别集成在3dB耦合器(3)相互平行的双臂上，且所述第一分布反馈激光器(1)、第二分布反馈激光器(2)和3dB耦合器(3)集成制作在同一磷化铟InP基片上。

2.根据权利要求1所述的用于产生毫米波的集成芯片，其特征在于，

所述第一分布反馈激光器(1)进一步集成相位调谐区(5)，所述第二分布反馈激光器(2)进一步集成相位调谐区(6)，通过控制相位调谐区(5)和相位调谐区(6)的电流，改变第一分布反馈激光器(1)和第二分布反馈激光器(2)的相位，改善产生的毫米波的相位噪声；

所述3dB耦合器(3)的出光端进一步集成一波导型探测器(7)，用于输出产生的毫米波。

3.根据权利要求2所述的用于产生毫米波的集成芯片，其特征在于，所述第一分布反馈激光器(1)、第二分布反馈激光器(2)和波导型探测器(7)制作在带隙波长为大于或等于1.55μm的半导体材料区域；所述3dB耦合器(3)、相位调谐区(5)和相位调谐区(6)制作在带隙波长为小于或等于1.45μm的半导体材料区域。

4.根据权利要求1所述的用于产生毫米波的集成芯片，其特征在于，所述第一分布反馈激光器(1)和第二分布反馈激光器(2)制作在带隙波长为大于或等于1.55μm的半导体材料区域；所述3dB耦合器(3)制作在带隙波长为小于或等于1.45μm的半导体材料区域。

5.根据权利要求3或4所述的用于产生毫米波的集成芯片，其特征在于，所述在同一InP基片上集成两种不同带隙波长的半导体材料采用量子阱混杂的方法、捆绑波导的方法或选区外延生长的方法。

6.根据权利要求1或4所述的用于产生毫米波的集成芯片，其特征在于，所述第一分布反馈激光器(1)和第二分布反馈激光器(2)由应变量子阱材料制成。

7.根据权利要求1所述的用于产生毫米波的集成芯片，其特征在于，所述第一分布反馈激光器(1)和第二分布反馈激光器(2)具有相同周期的光栅。

8.根据权利要求1所述的用于产生毫米波的集成芯片，其特征在于，所述集成芯片进一步在出光面镀一层增透膜。