[发明专利]导电聚合物组合物及包含利用它得到的层的电子器件有效

专利信息
申请号: 200610153694.8 申请日: 2006-09-14
公开(公告)号: CN101143960A 公开(公告)日: 2008-03-19
发明(设计)人: 李泰雨;朴钟辰;柳利烈;夫龙淳;金相烈;金武谦;韩云秀 申请(专利权)人: 三星SDI株式会社
主分类号: C08L65/00 分类号: C08L65/00;C08L79/02;C08L79/04;C08L49/00;C08K5/541;H01B1/20;H01L51/30;H01L51/46;H01L51/54
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 张平元;赵仁临
地址: 韩国*** 国省代码: 国;KR
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摘要:
搜索关键词: 导电 聚合物 组合 包含 利用 得到 电子器件
【权利要求书】:

1.一种导电聚合物组合物,包含:

至少一种选自下式(1)的硅氧烷化合物,下式(2)的硅氧烷化合物,及下式(3)的硅烷化合物的化合物;以及

导电聚合物:

式中R1和R2可各自独立地选自:-CH2(CH2)mSiX1X2X3,-O-SiX4X5X6,可交联单元,空穴迁移单元,电子迁移单元,发射单元,氢,卤原子,C1-C20烷基,及C6-C30芳基,且R1和R2中至少有一个为-CH2(CH2)mSiX1X2X3,-O-SiX4X5X6,或者可交联单元;

X1,X2,X3,X4,X5,X6,X7,X8,X9,X10,X11,X12,X13,X14,X15,X16,X17,X18,X19,及X20各自独立地选自:可交联单元,空穴迁移单元,电子迁移单元,发射单元,氢,及C1-C20烷基,且X1、X2和X3中至少有一个,X4、X5和X6中至少有一个,X7、X8、X9、X10、X11、X12、X13和X14中至少有一个,及X15、X16、X17、X18、X19和X20中至少有一个为可交联单元;

D为C1-C20亚烷基,被至少一个卤原子取代的C1-C20亚烷基,被至少一个空穴迁移单元、电子迁移单元或发射单元取代的C1-C20亚烷基,或者二价的空穴迁移单元;

p为3~8的整数;

m为1~10的整数;

q为0或者1~10的整数;

r为0或者1~10的整数;

q X10相同或相异;

q X11相同或相异;及

r D相同或相异。

2.根据权利要求1的导电聚合物组合物,其中所述可交联单元为羟基、C1-C20烷氧基和卤原子中的一种。

3.根据权利要求1的导电聚合物组合物,其中所述空穴迁移单元选自:

式中Q1,Q2,Q3,Q4,及Q5可各自独立地为N,O,或S。

4.根据权利要求1的导电聚合物组合物,其中所述电子迁移单元选自:

式中Q6,Q7,及Q8可各自独立地为N,O,或S。

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