[发明专利]处理系统及其等离子体产生装置

权利要求书

1.一种等离子体产生装置，用以对于第一流体进行离子化，该等离子体产生装置包括：

至少一导引组件，包括一路径，该第一流体沿着该路径依序通过第一位置与第二位置；以及

至少一电极组件，包括第一电极与第二电极，在该第一电极相对于该第一位置、该第二电极相对于该第二位置之下，该第一电极、该第二电极对于该第一位置与该第二位置之间的该第一流体进行激能后形成了第二流体，其中，该第一流体的能量状态不同于该第二流体的能量状态。

2.如权利要求1所述的等离子体产生装置，其中，该第一电极与该第二电极之间存在有电位差。

3.如权利要求1所述的等离子体产生装置，其中，该导引组件包括中空件，该路径位于该中空件的内部。

4.如权利要求1所述的等离子体产生装置，其中，该第一电极环绕于该导引组件的外侧。

5.如权利要求1所述的等离子体产生装置，其中，该第二电极环绕于该导引组件的外侧。

6.如权利要求1所述的等离子体产生装置，其中，该第一电极局部环绕于该导引组件的外侧。

7.如权利要求1所述的等离子体产生装置，其中，该第二电极局部环绕于该导引组件的外侧。

8.如权利要求1所述的等离子体产生装置，其中，该第一电极包括第一槽结构，该第二电极包括第二槽结构，该第一槽结构与该第二槽结构相对于该路径而采用交错方式的排列。

9.如权利要求1所述的等离子体产生装置，还包括供应装置，该供应装置电性连接于该第一电极。

10.如权利要求9所述的等离子体产生装置，其中，该供应装置为射频产生器。

11.如权利要求10所述的等离子体产生装置，其中，该射频产生器的频率为13.56MHz或13.56MHz的整数倍数的频率。

12.如权利要求9所述的等离子体产生装置，其中，该供应装置为电源供应器。

13.如权利要求12所述的等离子体产生装置，其中，该电源供应器为交流电产生器。

14.如权利要求13所述的等离子体产生装置，其中，该交流电产生器的频率为1MHz～100MHz。

15.如权利要求1所述的等离子体产生装置，其中，该导引组件还包括第三位置，该第二流体通过该第三位置，并且在该第三位置的该第二流体于实质上具有均匀能量分布曲线。

16.如权利要求1所述的等离子体产生装置，其中，该导引组件由介电材料所制成。

17.如权利要求1所述的等离子体产生装置，其中，该第一电极为线圈结构。

18.如权利要求17所述的等离子体产生装置，其中，该线圈结构设置于该导引组件的外部。

19.如权利要求1所述的处理系统，其中，该导引组件更包括侧壁部与埠结构，该埠结构形成于该侧壁部，并且该第二流体经由该埠结构对于该物件进行处理。

20.如权利要求19所述的处理系统，其中，该埠结构为开孔。

21.一种处理系统，利用第一流体对于物件进行处理，该处理系统包括：

基座，用以承载该物件；以及

等离子体产生装置，用以对于该第一流体进行离子化，该等离子体产生装置包括：

至少一导引组件，包括一路径，该第一流体沿着该路径依序通过第一位置与第二位置；以及

至少一电极组件，包括第一电极与第二电极，在该第一电极相对于该第一位置、该第二电极相对于该第二位置之下，该第一电极、该第二电极对于该第一位置与该第二位置之间的该第一流体进行激能后形成了第二流体，该第二流体对于该基座上的该物件进行处理。

22.如权利要求21所述的处理系统，其中，该第一电极与该第二电极之间存在有电位差。

23.如权利要求21所述的处理系统，其中，该导引组件包括中空件，该路径位于该中空件的内部。

24.如权利要求21所述的处理系统，其中，该第一电极环绕于该导引组件的外侧。