[发明专利]基于PWM技术的高压除尘顶部振打控制主电路无效
申请号: | 200610155217.5 | 申请日: | 2006-12-14 |
公开(公告)号: | CN101199952A | 公开(公告)日: | 2008-06-18 |
发明(设计)人: | 王涌 | 申请(专利权)人: | 浙江工业大学 |
主分类号: | B03C3/68 | 分类号: | B03C3/68;B03C3/74;G05B19/02;G05B11/28 |
代理公司: | 杭州天正专利事务所有限公司 | 代理人: | 王兵;袁木棋 |
地址: | 310014*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 pwm 技术 高压 除尘 顶部 控制 电路 | ||
1.一种基于PWM技术的高压除尘顶部振打控制主电路,包括电源电路、脉冲振打器控制电路、脉冲振打器矩阵。所述的电源电路包括与交流电源连接的桥式整流电路、滤波电容C以及取样电阻R;所述的脉冲振打器控制电路为八行八列控制电路,控制的是8×8振打器矩阵,其特征在于:所述的振打控制电路包括PWM脉冲行、列分配电路,所述的PWM脉冲行、列分配电路包括行分配隔离驱动子电路、列分配隔离驱动子电路,所述的行分配隔离驱动子电路包括三-八译码器74LS138、光耦隔离驱动芯片TLP250以及场效应管IRF460;所述的三-八译码器74LS138的A1、B1、C1脚和微处理的P口连接,G2A脚连接微处理器的PWM信号输入,三-八译码器74LS138的译码输出与光耦驱动芯片TLP250的输入端连接,所述的光耦驱动芯片TLP250的输出端连接场效应管IRF460,场效应管IRF460的输出连接8×8脉冲振打器矩阵的行线;所述的列分配隔离驱动子电路包括三-八译码器74LS138、光耦驱动芯片TLP250以及场效应管IRF460;所述的三-八译码器74LS138的A2、B2、C2脚和微处理的P口连接,G2A脚接地,三-八译码器74LS138的译码输出与光耦驱动芯片TLP250的输入端连接,所述的光耦驱动芯片TLP250的输出端连接场效应管IRF460,场效应管IRF460的输出连接8×8脉冲振打器矩阵的列线。
2.如权利要求1所述的基于PWM技术的高压除尘顶部振打控制主电路,其特征在于:所述的振打控制电源电路还包括保护电路,所述的保护电路包括霍尔电流传感器检测电路、电压比较器电路,所述的霍尔电流传感器与取样电阻R串联,霍尔电流传感器的输出线性电压送到A/D转换器件后反馈到微处理器;取样电阻R的电压连接比较器的同相端,电压比较器的反相端是基准电压,电压比较器的输出端为过流封锁信号,所述的过流封锁信号通过三极管9013与行分配隔离驱动子电路的三-八译码器74LS138的G2B脚、列分配隔离驱动子电路的三-八译码器74LS138的G2B脚分别连接,同时,所述的过流封锁信号通过反相器后与微处理器的外部中断口连接。
3.如权利要求1或2所述的基于PWM技术的高压除尘顶部振打控制主电路,其特征在于:在所述的8×8脉冲振打器矩阵中,每条行线与列线之间连接振打器线圈L和二极管D2,同时,振打器线圈并联反相的大功率肖特基二极管D1。
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