[发明专利]液晶显示器及其制造方法

权利要求书

1、一种制造液晶显示器的方法，包括：

制备限定有像素部分的TFT区域的绝缘基板；

在基板上形成有源层以覆盖像素部分的TFT区域；

在有源层上形成像素部分的栅极；

在有源层中位于像素部分的栅极两侧形成像素部分的源区和像素部分的漏区；

在具有像素部分的漏区的基板上形成具有第一接触孔和第二接触孔的钝化膜，所述第一接触孔和第二接触孔分别暴露像素部分的源区和像素部分的漏区；

在钝化膜上顺序形成透明导电膜和金属膜；

在金属膜上形成绝缘膜；以及

有选择地蚀刻所述绝缘膜、所述金属膜和透明导电膜以在像素部分形成顺序沉积以覆盖第一接触孔的源极图案、源极和所述源极上的第一绝缘图案，以及形成顺序沉积以覆盖第二接触孔的像素部分的漏极图案、漏极和所述漏极上的第二绝缘图案。

2、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在形成像素部分的栅极之前在具有有源层的基板上形成栅绝缘膜。

3、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过在具有像素部分的漏区的基板上沉积和活化退火硅氧化物膜并且在该活化的硅氧化物膜上沉积和氢化退火硅氮化物膜而形成钝化膜。

4、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过在具有漏区的基板上顺序形成硅氧化物膜和硅氮化物膜并且在退火该硅氧化物膜和硅氮化物膜后同时进行所述硅氧化物膜的活化和硅氮化物膜的氢化而形成所述钝化膜。

5、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过在具有漏区的基板上顺序形成硅氧化物膜、硅氮化物膜和硅氧化物膜而形成所述钝化膜。

6、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在形成所述钝化膜后形成充填于所述第一接触孔和第二接触孔中的隔离金属图案。

7、根据权利要求6所述的方法，其特征在于，通过在钝化膜上形成隔离金属膜以覆盖所述第一接触孔和第二接触孔、在具有隔离金属膜的基板上沉积阻挡膜、灰化所述阻挡膜以形成暴露隔离金属膜并剩余在所述第一接触孔和第二接触孔中的阻挡膜图案、蚀刻由阻挡膜图案暴露的隔离金属膜以及去除该阻挡膜图案而形成所述隔离金属图案。

8、根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述隔离金属膜由钼膜形成。

9、根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述隔离金属膜的厚度为0.5μm至0.1μm。

10、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过使用单一掩模的衍射曝光形成所述像素部分的源极图案、像素部分的源极、像素部分的漏极图案和像素部分的漏极。

11、一种制造液晶显示器的方法，包括：

制备绝缘基板，所述绝缘基板限定有像素部分的TFT区域、栅焊盘区域以及设置在像素部分的TFT区域和栅焊盘区域之间的密封线区域；

在基板上形成有源层以覆盖像素区域的TFT区域；

在有源层上形成像素部分的栅极并且同时在基板的栅焊盘区域上形成栅焊盘；

在有源层中位于像素部分的栅极两侧处形成像素部分的源区和像素部分的漏区；

在具有像素部分的漏区的基板上形成具有第一接触孔和第二接触孔以及开口部分的钝化膜，所述第一接触孔和第二接触孔分别暴露像素部分的源区和像素部分的漏区，所述开口部分暴露所述栅焊盘；

在钝化膜上顺序形成透明导电膜和金属膜；以及

有选择地蚀刻所述金属膜和透明导电膜以形成顺序沉积以覆盖第一接触孔的像素部分的源极图案和像素部分的源极、顺序沉积以覆盖第二接触孔的像素部分的漏极图案和像素部分的漏极以及顺序沉积以覆盖开口部分和密封线区域的焊盘部分的透明导电膜图案和焊盘部分的金属膜图案。

12、根据权利要求11所述的方法，其特征在于，还包括在形成焊盘部分的透明导电膜图案和焊盘部分的金属膜图案之后，有选择地蚀刻该焊盘部分的金属膜图案以暴露所述密封线区域，并且在所述密封线区域中形成密封线。

13、根据权利要求11所述的方法，其特征在于，通过使用单一掩模的衍射曝光来形成所述像素部分的源极图案和像素部分的源极、像素部分的漏极图案和像素部分的漏极以及焊盘部分的透明导电膜图案和焊盘部分的金属膜图案。