[发明专利]半导体存储装置及其驱动方法

说明书

相关申请的交叉引用

本发明要求于2006年5月19日提交的申请号为2006-044892的 韩国专利申请的优先权，通过引用将其全部内容合并与此。

技术领域

本发明涉及一种半导体存储装置，更具体而言，涉及一种传输单元 数据至位线且没有损耗的半导体存储装置。

背景技术

随着半导体技术的开发，已创造出可储存大量数据的半导体存储装 置。半导体存储装置储存一数据(one data)于一个单元中。为了储存 大量的数据，将多个单元集成至一个半导体存储装置中。因此，现有技 术的趋势是尽可能地缩小单元尺寸，以便将多个单元集成于半导体存储 装置中。在动态随机存取存储器(DRAM，Dynamic Random Access Memory)的情形中，可由一个晶体管及一个电容器来配置单元，作为 开关的单元晶体管的尺寸应尽可能地减小并且还减少单元电容器的电 容。

因此，由于该单元中所储存的数据信号的大小非常小，而无法从单 元直接输出数据。结果，需要对该单元中所储存的数据进行感测与放大 的操作。大多数的半导体存储装置具有感测放大器，该感测放大器感测 并放大该单元中所储存的数据。重要的是，需花费长时间来感测与放大 该数据。当供应该单元中所储存的数据至位线时，感测放大器感测并放 大预充电至预定电压电平的位线条(bit line bar)和位线间的信号差。

另一方面，为了降低半导体存储装置的功耗，减少了输入至半导体 存储装置的外部源电压的电平。因此，当由感测放大器感测与放大供应 有数据信号的位线及预充电的位线条之间的电压差的时间增加时，降低 了用于驱动该感测放大器的驱动电压的电平。

由于降低了外部源电压的电平，使得难以传输单位单元中所储存的 数据至位线。例如，难以导通或关断开关MOS晶体管以传输该单位单 元中所储存的数据至位线、或传输供应至位线的数据信号至该单位单 元。单位单元中的开关MOS晶体管的栅极耦接至字线。当施加至字线 的电压不足时，便无法有足够的时间来导通作为单位单元的开关的 MOS晶体管。

在数据读取时，连续进行写入及读取操作，如果暂时降低由外部源 电压所产生的字线驱动电压的电平，则无法导通该单位单元中的开关 MOS晶体管。这意味着无法传输数据信号至位线、无法感测与放大数 据，并且因而导致数据存取失败。

发明内容

本发明的实施例提供一种在单位单元中具有开关MOS晶体管的半 导体存储装置，其即使以低电平的外部源电压也可平稳地导通/关断。

本发明的实施例提供一种半导体存储装置，包括：单元区域，具有 多个单位单元，每个单位单元具有开关MOS晶体管以传输数据；外围 电路部件，用于存取该单位单元中所储存的数据；以及阈值电压控制部 件，控制该开关MOS晶体管的阈值电压。

本发明的另一实施例提供一种半导体存储装置，包括：开关MOS 晶体管，形成设置在单元区域中的单位单元；排组体电压(bank bulk voltage)供应部件，供应体电压至MOS晶体管的体；以及外围电路体 电压供应部件，供应体电压至外围电路，其中，当存取数据时，该排组 体电压供应部件暂时供应第一体电压至开关MOS晶体管，以降低开关 MOS晶体管的阈值电压。

本发明的再一实施例提供一种半导体存储装置，包括：开关MOS 晶体管，形成设置在单元区域中的单位单元；体电压供应部件，选择性 供应第一体电压或第二体电压至开关MOS晶体管的体；以及命令控制 部件，其控制体电压供应部件，其中，当存取数据时，体电压供应部件 暂时供应第一体电压至开关MOS晶体管，以降低开关MOS晶体管的 阈值电压。

本发明的又一实施例提供一种半导体存储装置，包括：开关MOS 晶体管，形成设置在单元区域中的单位单元；体电压供应部件，供应第 一体电压至该开关MOS晶体管的体；开关电路部件，耦接体电压供应 部件的输出端子，以切换输出端子至第二体电压端子；以及命令控制部 件，控制开关电路部件，其中，当存取数据时，由该开关电路部件暂时 切换体电压供应部件的输出端子，以降低开关MOS晶体管的阈值电压。