[发明专利]半导体发光装置和带有这种半导体发光装置的发光屏

权利要求书

1.半导体发光装置，具有至少一个在加载电压时发光的半导体发光元件(26，28，1016，2016，3016)和支承所述半导体发光元件的基体(12，1014，2014，3014)，其特征为：对于由半导体发光元件(26，28，1016，2016，3016)产生的光，基体(12，1014，2014，3014)是可透过的；设有由半导体发光元件(26，28)产生的光可透过的壳体(52)，基体(12)由该壳体支承；以及所述壳体(52)内侧携带有透光的电极(114)。

2.按权利要求1的发光装置，其特征为：基体(12，1014，2014，3014)包括玻璃材料或晶体材料。

3.按权利要求2的发光装置，其特征为：所述玻璃材料或晶体材料是Al₂O₃材料。

4.按权利要求1至3之任一项的发光装置，其特征为：基体(12，1014，2014，3014)具有0.1mm至1mm的厚度。

5.按权利要求4的发光装置，其特征为：基体(12，1014，2014，3014)具有0.1mm至0.5mm的厚度。

6.按权利要求5的发光装置，其特征为：基体(12，1014，2014，3014)具有0.2mm至0.4mm的厚度。

7.按权利要求1至3之任一项的发光装置，其特征为：至少一个发光元件(26，28，1016，2016，3016)是三层结构的，其中第一层(30，1018，2018，3018)是半导体层，第二层(32，1020，2020，3020)是MQW层，第三层(34，1022，2022，3022)是半导体层。

8.按权利要求7的发光装置，其特征为：至少一个半导体层包括III-V材料。

9.按权利要求8的发光装置，其特征为：所述半导体层中的一个由GaN形成。

10.按权利要求8或9的发光装置，其特征为：所述半导体层中的一个由InGaN形成。

11.按权利要求1至3之任一项的发光装置，其特征为：所述半导体发光元件(26，28)是透明的。

12.按权利要求1至3之任一项的发光装置，其特征为：多个半导体发光元件(26，28)通过棋盘式布置的电极(14，36)接通。

13.按权利要求1至3之任一项的发光装置，其特征为：基体(12)在两侧设置有半导体发光元件(26，28)。

14.按权利要求13的发光装置，其特征为：设置在基体(12)两侧上的半导体发光元件(26，28)的组相互错开。

15.按权利要求1至3之任一项的发光装置，其特征为：所述壳体(52)包围多个基体(12)。

16.按权利要求1至3之任一项的发光装置，其特征为：所述壳体(52)的内部包含透明液体。

17.按权利要求16的发光装置，其特征为：所述透明液体是硅油。

18.按权利要求1至3之任一项的发光装置，其特征为：所述壳体(52)旋转对称地具有至少一个拱起的边界面。

19.按权利要求1至3之任一项的发光装置，其特征为：半导体发光元件(26，28)发射紫外光或蓝光，在壳体的内部分布有磷颗粒，所述磷颗粒这样发出蓝光、黄光和红光，以使发光装置发出白光。

20.按权利要求19的发光装置，其特征为：将所述磷颗粒施加在基体(12)和/或半导体发光元件(26，28)上和/或施加在壳体(52)内表面或外表面上。

21.按权利要求19的发光装置，其特征为：所述磷颗粒分布在液体(54)或透明的固体嵌入材料中，所述液体/嵌入材料包围支承半导体发光元件(26，28)的基体(12)。

22.按权利要求1至3之任一项的发光装置，其特征为：半导体发光元件(26，28)支承扩展的接触导线线路(14，36)。

23.按权利要求22的发光装置，其特征为：两条接触导线线路(14，36)设置成使两条接触导线线路(14，36)分别相对的段(16，22，24，44，46)彼此具有相等的距离。