[发明专利]高比容阴极箔的制备方法

权利要求书

1、一种高比容阴极箔的制备方法，其特征在于：选择光箔作为基材，先在其表面采用化成处理，使之在铝箔表面形成一层致密的、均匀的、具有单向导电性的氧化铝层，然后再采用磁控溅射方法在其表面形成一层钛金属膜。

2、根据权利要求1所述的高比容阴极箔的制备方法，其特征在于：所述铝箔表面经过磁控溅射处理后，再进行高温处理，使钛金属表面形成一层钝化膜。

3、根据权利要求1或2所述的高比容阴极箔的制备方法，其特征在于：所述磁控溅射步骤中，采用连续调节氮气的浓度方式，使金属钛的成分呈梯度下降，氮化钛的成分呈梯度增长。

4、根据权利要求1所述的高比容阴极箔的制备方法，其特征在于：所述化成处理时间5～30min，温度50～80℃，电压在1.0～3.0伏之间。

5、根据权利要求1所述的高比容阴极箔的制备方法，其特征在于：所述钛金属膜为钛、氮化钛、氮铝化钛或碳氮化钛膜，其钛金属膜镀层厚度在1～3μm之间。

6、根据权利要求1或2或4或5任一项所述的高比容阴极箔的制备方法，其特征在于：所述光箔在化成处理步骤前，先采用机械方法在其表面先刷出沟回。

7、根据权利要求3所述的高比容阴极箔的制备方法，其特征在于：所述光箔在化成处理步骤前，先采用机械方法在其表面先刷出沟回。

8、根据权利要求1或2或4或5任一项所述的高比容阴极箔的制备方法，其特征在于：所述光箔在化成处理步骤前，先采用化学或电化学方法对光箔表面进行轻微腐蚀，其腐蚀倍率为1～10。

9、根据权利要求3所述的高比容阴极箔的制备方法，其特征在于：所述光箔在化成处理步骤前，先采用化学或电化学方法对光箔表面进行轻微腐蚀，其腐蚀倍率为1～10。

10、根据权利要求2述的高比容阴极箔的制备方法，其特征在于：所述磁控溅射处理后所作高温处理的温度为300～500℃，时间为20～60分钟。