[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明是关于一种薄膜晶体管基板及其制造方法。

背景技术

液晶显示装置具有低辐射性、体积轻薄短小及耗电低等众多优点，故在使用上日渐广泛，同时仍具有视角各向异性和视角范围较小的弱点，即在离开显示面板法线方向观察时，对比度明显下降；在彩色显示时，视角大时还会发生灰阶反转的现象。在液晶显示装置向大尺寸发展的情况下，这一弱点尤为突出。边缘电场开关型液晶显示器克服了这一缺点，则边缘电场开关型液晶显示器的应用日渐广泛。边缘电场开关型液晶显示器主要包括一液晶显示面板及为该液晶显示面板提供光源的背光模组。该液晶显示面板包括一薄膜晶体管基板、一彩色滤光片基板及夹在该薄膜晶体管基板与该彩色滤光片基板之间的液晶层。该薄膜晶体管基板靠近该液晶层一侧设置依序设置一像素电极及一对向电极，该像素电极与该对向电极共同作用以控制该液晶层的偏转。

请参阅图1，是一种现有技术薄膜晶体管基板的结构示意图。该薄膜晶体管基板10包括多条栅极线13、多条公共电极线14及多条数据线17。该多条公共电极线14与该多条栅极线13间隔设置，且相互平行。该多条栅极线13与该多条数据线17垂直绝缘相交，界定多个像素单元100。每一像素单元100包括一对向电极120、一薄膜晶体管180及多个像素电极190。该薄膜晶体管180包括一栅极181、一源极182、一漏极183及一导通孔184。该导通孔184电性导通该漏极183与该像素电极190。该对向电极120为具有一定图案的透明导电层，其与该公共电极线14部分重叠，且电导通。

请一并参阅图2，是图1沿该II-II线的剖面示意图。该薄膜晶体管基板10进一步包括一绝缘基底11、一栅极绝缘层15、一半导体层107及一保护层16。该栅极线13、该公共电极线14、该栅极181及该对向电极120均设置在该绝缘基底11上。该栅极绝缘层15覆盖该对向电极120、该多条栅极线13、该栅极181及该多条公共电极线14。该半导体层107沉积在该栅极绝缘层15上，且与该栅极181对应。该源极182及漏极183对应该栅极181设置在该半导体层107上。该保护层16覆盖该栅极绝缘层15、该源极182及该漏极183。该像素电极190设置在该保护层16上，且通过该导通孔184与该漏极183电连接。

请参阅图3，是该薄膜晶体管基板10的传统制造方法的流程图。该制造方法采用六道光罩制造，包括以下步骤：

一、第一道光罩

步骤S1：形成透明导电层；

提供一绝缘基底11，在该绝缘基底11上，依序形成一透明导电层及一第一光阻层。

步骤S2：形成对向电极；

以第一光罩的图案对该第一光阻层进行曝光并显影，形成一预定光阻图案；对该透明导电层进行湿蚀刻，形成一对向电极120，移去光阻层。但是，该透明导电层是以湿蚀刻方式来蚀刻，该湿蚀刻方式易蚀刻不完全，从而制造异常产生残存的透明导电层，如一残留块121。

二、第二道光罩

步骤S3：形成金属层；

在该对向电极120、该残留块121及该绝缘基底11上沉积一金属层，再覆盖一第二光阻层在该金属层上。

步骤S4：形成公共电极线、栅极线与栅极；

以第二光罩的图案对该第二光阻层进行曝光并显影，形成一预定光阻图案；对该金属层进行蚀刻，形成该公共电极线14、该栅极线13及该栅极181，该栅极181是与该栅极线13一体形成。该公共电极线14与该栅极线13平行。该残留块121分别被部分该公共电极线14与部分该栅极线13覆盖。

三、第三道光罩

步骤S5：形成栅极绝缘层、非晶硅及掺杂非晶硅层；

在该对向电极120、公共极线14、该栅极线13、该栅极181及该绝缘基底11上形成一栅极绝缘层15、一非晶硅及掺杂非晶硅层及一第三光阻层。

步骤S6：形成半导体层；

以第三光罩的图案对该第三光阻层进行曝光并显影，从而形成一预定光阻图案；对该非晶硅及掺杂非晶硅层进行蚀刻，进而形成一半导体层107，移除该第三光阻层。

四、第四道光罩

步骤S7：形成源极/漏极金属层；

在该半导体层107及该栅极绝缘层15上依序沉积一源极/漏极金属层及一第四光阻层。

步骤S8：形成源极及漏极；

以该第四光罩的图案对该第四光阻层进行曝光并显影，形成一预定光阻图案；对该源极/漏极金属层进行蚀刻，进而形成一源极182与一漏极183。

五、第五道光罩