[发明专利]三维电编程只读存储器无效
| 申请号： | 200610159412.5 | 申请日： | 2002-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN101110425A | 公开（公告）日： | 2008-01-23 |
| 发明（设计）人： | 张国飙 | 申请（专利权）人： | 张国飙 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;G11C17/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610051四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 三维 编程 只读存储器 | ||
【权利要求书】：
1.一种三维电编程只读存储器(3D-EPROM)，其特征在于含有：
一衬底电路(10)；
至少一堆叠在该衬底电路上方的三维存储层(100)，该三维存储层通过多个接触通道口(20v)与所述衬底电路相连；和
一编程电压接线垫(12P，70P)，该编程电压接线垫为该三维存储层引入编程电压(Vpp)。
2.根据权利要求1所述的三维电编程只读存储器(3D-EPROM)，其特征还在于：该3D-EPROM为一次编程3D-EPROM。
3.根据权利要求1所述的三维电编程只读存储器(3D-EPROM)，其特征还在于：所述衬底电路不含有Vpp产生电路。
4.一种三维电编程只读存储器(3D-EPROM)，其特征在于含有：
一衬底电路(10)；
至少一堆叠在该衬底电路上方的三维存储层(100)，该三维存储层通过多个接触通道口(20v)与所述衬底电路相连；和
位于该三维存储层的第一和第二存储元(1cb，1cc)，该第一存储元(1cb)与第一亚译码器(70a)相连，该第二存储元(1cc)与第二亚译码器(70b)相连，所述第一和第二亚译码器共享一输入地址(2C)。
5.根据权利要求4所述的三维电编程只读存储器(3D-EPROM)，其特征还在于：所述第一和第二存储元被同时编程。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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