[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610159801.8 | 申请日： | 2002-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN1945856A | 公开（公告）日： | 2007-04-11 |
| 发明（设计）人： | 丸山纯矢;高山彻;后藤裕吾 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/00;H01L27/12;H01L27/32;H01L51/50;H01L21/336;H01L21/84;H01L21/00;H01L51/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 陈景峻 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【说明书】：
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200610159801.8/2.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：无线通信系统中的点对多点服务信息通信
- 下一篇：半导体结构
- 同类专利
- 专利分类
