[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，包括：

提供一基板，其中该基板具有多个像素区域；

形成一图案化第一导电层于该基板上，其中，该图案化第一导电层包括多个栅极与多条扫描配线，且各该栅极与该些扫描配线其中之一电性连接；

于该基板上依序形成一栅绝缘层、一半导体层以及一第二导电层，以覆盖该图案化第一导电层；

形成一图案化第一光阻层于该第二导电层上，通过该图案化第一光阻层图案化该第二导电层，以形成多个源极与漏极以及多条数据配线，其中各该源极与漏极是位于相对应的该栅极的上方，且各该源极与该些数据配线其中之一电性连接；

形成一第二光阻层，以覆盖该半导体层与该图案化第一光阻层，其中该第二光阻层包含一负型光阻；

以该图案化第一导电层及该第二导电层为一掩膜，从该基板侧对该第二光阻层进行曝光及显影制程，以形成一图案化第二光阻层，该图案化第二光阻层所在之处为该图案化第一导电层与该第二导电层联集以外的区域；

利用该图案化第一光阻层及该图案化第二光阻层为掩膜，移除各该栅极上方的部分该半导体层，以于该半导体层中对应于各该栅极处分别定义出一沟道区域；

移除该第一光阻层以及该第二光阻层；

于该基板上形成一保护层，并在该保护层内形成多个接触窗，以分别暴露出该些漏极；以及

于各该像素区域内的该保护层上分别形成一像素电极，且各该像素电极经由其所对应的该接触窗电性连接至其所对应的该漏极。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，该半导体层包括一沟道层及位于该沟道层上的一欧姆接触层。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，移除各该栅极上方的部分该半导体层以定义出该沟道区域的步骤，是移除各该栅极上方被该第一光阻层所暴露出的该欧姆接触层。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，该图案化第一光阻层包含一正型光阻。

5.一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，包括：

提供一基板，其中该基板具有多个像素区域；

形成一图案化第一导电层于该基板上，其中，该图案化第一导电层包括多个栅极与多条扫描配线，且各该栅极与该些扫描配线其中之一电性连接；

于该基板上依序形成一栅绝缘层、一半导体层以及一第二导电层，以覆盖该图案化第一导电层；

形成一图案化第一光阻层于该第二导电层上，通过该图案化第一光阻层图案化该第二导电层，以形成多个源极、多个漏极以及多条数据配线，其中各该源极与各该漏极是位于相对应的该栅极的上方，且各该源极与该些数据配线其中之一电性连接；

形成一第二光阻层于该基板上，以覆盖该半导体层与该图案化第一光阻层；

以该图案化第一导电层及该第二导电层为掩膜，从该基板侧对该第二光阻层进行曝光及显影制程，以形成一图案化第二光阻层，该图案化第二光阻层所在之处为该图案化第一导电层与该第二导电层联集的区域；

以该图案化第二光阻层为掩膜，移除暴露出的该半导体层；

移除该第二光阻层；

以该图案化第一光阻层为掩膜，移除各该栅极上方的部分该半导体层，以于该半导体层中对应于各该栅极处分别定义出一沟道区域，并移除该图案化第一光阻层；

于该基板上形成一保护层，并在该保护层内形成多个接触窗，以暴露出该些漏极；以及

于各该像素区域内的该保护层上分别形成一像素电极，且各该像素电极经由其所对应的该接触窗电性连接至其所对应的该漏极。

6.如权利要求5所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，该半导体层包括一沟道层及位于该沟道层上的一欧姆接触层。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，移除各该栅极上方的部分该半导体层以定义出该沟道区域的步骤，是移除各该栅极上方被该第一光阻层所暴露出的该欧姆接触层。

8.如权利要求5所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，该图案化第一光阻层包含一正型光阻。

9.如权利要求5所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，移除该第二光阻层的方法包括一灰化制程。