[发明专利]在下电极上具有缓冲层的可变电阻存储器件

权利要求书

1.一种包括可变电阻材料的非易失性存储器件，该存储器件包括：

下电极；

形成在该下电极上的缓冲层；

形成在该缓冲层上的氧化物层，该氧化物层具有可变电阻特性；以及

形成在该氧化物层上的上电极，

其中该缓冲层由Ru氧化物、Ir氧化物、Cu氧化物、Mn氧化物或Ta氧化物构成，

并且其中该氧化物层由Ni氧化物或Cu氧化物构成。

2.根据权利要求1的可变电阻存储器件，其中该缓冲层的功函数高于该下电极的功函数。

3.根据权利要求1的可变电阻存储器件，其中该上电极的功函数高于该氧化物层的功函数。

4.根据权利要求1的可变电阻存储器件，其中该下电极由具有低于5.0eV的功函数的材料构成。

5.根据权利要求4的可变电阻存储器件，其中该下电极由W、Ta、Cu、Hf、Mo、Sr、Ag、In或Cr构成。

6.根据权利要求1的可变电阻存储器件，其中该缓冲层由具有高于5.0eV的功函数的材料构成。

7.根据权利要求1的可变电阻存储器件，其中该氧化物层由具有可变电阻特性的p型过渡金属氧化物构成。

8.根据权利要求1的可变电阻存储器件，其中该上电极由选自Ru、Rh、Co、Pd、Ni、Re、Pt、Ru-Ta合金、Pt-Hf合金、Pt-Ti合金、Co-Ni合金或Ni-Ta合金的材料，或者这些材料的合金构成。