[发明专利]抗辐射结构无效
| 申请号： | 200610159883.6 | 申请日： | 2006-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN101173992A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 林燕秀;苏宗粲;张明智;张佑嘉 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 魏晓刚;李晓舒 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 辐射 结构 | ||
1.一种抗辐射结构，包括：
一基材；
一反射层，邻接该基材；以及
一周期性光栅，置于该反射层之上，用以反射一入射辐射。
2.根据权利要求1所述的抗辐射结构，其中该基材包括玻璃、塑料、或有机-无机混成材料。
3.根据权利要求1所述的抗辐射结构，其中该反射层的折射率介于1.4-2.0之间。
4.根据权利要求1所述的抗辐射结构，其中该周期性光栅的折射率介于1.4-2.0之间。
5.根据权利要求1所述的抗辐射结构，其中该反射层与该周期性光栅一体成型。
6.根据权利要求1所述的抗辐射结构，其中该反射层及该周期性光栅的折射率实质上大于该基材的折射率。
7.根据权利要求1所述的抗辐射结构，其中该入射辐射为波长200纳米-400纳米的紫外光。
8.根据权利要求7所述的抗辐射结构，其中该周期性光栅的均分比约介于0.2-0.3、高度约介于50纳米-210纳米。
9.根据权利要求7所述的抗辐射结构，其中该反射层的厚度约介于5纳米-70纳米。
10.根据权利要求1所述的抗辐射结构，其中该入射辐射为550纳米-700纳米的红光。
11.根据权利要求10所述的抗辐射结构，其中该周期性光栅的均分比约介于0.15-0.8、高度约介于5纳米-130纳米。
12.根据权利要求10所述的抗辐射结构，其中该反射层的厚度约介于50纳米-180纳米。
13.根据权利要求1所述的抗辐射结构，其中该入射辐射为400纳米-550纳米的蓝光。
14.根据权利要求13所述的抗辐射结构，其中该周期性光栅的均分比约介于0.15-0.8、高度约介于50纳米-210纳米。
15.根据权利要求13所述的抗辐射结构，其中该反射层的厚度约介于10纳米-120纳米。
16.一种抗辐射结构，包括：
一基材；以及
一周期性光栅，邻接该基材，用以绕射一入射辐射。
17.根据权利要求16所述的抗辐射结构，其中该基材包括玻璃、塑料、或有机-无机混成材料。
18.根据权利要求16所述的抗辐射结构，其中该周期性光栅包括玻璃、塑料、或有机-无机混成材料。
19.根据权利要求16所述的抗辐射结构，其中该基材与该周期性光栅的折射率介于约1.4-1.9。
20.根据权利要求16所述的抗辐射结构，其中该基材与该周期性光栅的折射率实质上相同。
21.根据权利要求16所述的抗辐射结构，其中该基材与该抗辐射结构为相同材料。
22.根据权利要求16所述的抗辐射结构，其中该基材与该抗辐射结构一体成型。
23.根据权利要求16所述的抗辐射结构，其中该入射辐射为波长200纳米-400纳米的紫外光。
24.根据权利要求23所述的抗辐射结构，其中该周期性光栅的均分比约介于0.1-0.9、高度约介于10纳米-400纳米、周期约介于180纳米-340纳米。
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