[发明专利]用于差动输入级的偏置电流补偿电路

权利要求书

1.一种用于差动输入级的偏置电流补偿电路，包含：

补偿电流供应电路，用来产生补偿电流，以及

补偿选择电路，耦合在该补偿电流供应电路以及该差动输入级的第一与第二输入端之间，

其特征在于：

当该第一输入端的第一电压信号高于该第二输入端的第二电压信号时，该补偿选择电路决定允许该补偿电流施加到该第一输入端，并且

当该第二电压信号高于该第一电压信号时，该补偿选择电路决定允许该补偿电流施加到该第二输入端。

2.如权利要求1所述的用于差动输入级的偏置电流补偿电路，其特征在于：

该补偿选择电路包含：

第一控制单元，具有第一控制极与第一电流通道，该第一控制极耦合在该第二输入端用来响应于该第二电压信号而控制该第一电流通道，该第一电流通道耦合在该补偿电流供应电路与该第一输入端之间，使得当该第二电压信号经由该第一控制极而导通该第一电流通道时，该导通的第一电流通道允许该补偿电流施加到该第一输入端，以及

第二控制单元，具有第二控制极与第二电流通道，该第二控制极耦合在该第一输入端用来响应于该第一电压信号而控制该第二电流通道，该第二电流通道耦合在该补偿电流供应电路与该第二输入端之间，使得当该第一电压信号经由该第二控制极而导通该第二电流通道时，该导通的第二电流通道允许该补偿电流施加到该第二输入端。

3.如权利要求2所述的用于差动输入级的偏置电流补偿电路，其特征在于：

该第一控制单元由第一PMOS晶体管来实现，使得该第一控制极由该第一PMOS晶体管的栅极来实现，并且该第一电流通道由该第一PMOS晶体管的漏极与源极间的通道来实现，以及

该第二控制单元由第二PMOS晶体管来实现，使得该第二控制极由该第二PMOS晶体管的栅极来实现，并且该第二电流通道由该第二PMOS晶体管的漏极与源极间的通道来实现。

4.如权利要求1所述的用于差动输入级的偏置电流补偿电路，其特征在于：

该差动输入级包含：

电流源，耦合在低电压供应轨；

第一晶体管，该第一晶体管的基极作为该第一输入端，该第一晶体管的发射极耦合在该电流源，该第一晶体管的集电极耦合在高电压供应轨；以及

第二晶体管，该第二晶体管的基极作为该第二输入端，该第二晶体管的发射极耦合在该电流源，该第二晶体管的集电极耦合在该高电压供应轨。

5.如权利要求4所述的用于差动输入级的偏置电流补偿电路，其特征在于：

补偿电流供应电路包含：

复制电流源，设计成与该差动输入级的该电流源相同；

复制晶体管，设计成与该差动输入级的该第一晶体管相同，该复制晶体管的发射极耦合在该复制电流源，该复制晶体管的集电极耦合在该高电压供应轨；以及

电流镜，耦合在该复制晶体管的基极，用来响应于流经该复制晶体管的该基极的电流而产生该补偿电流。

6.一种用于差动输入级的偏置电流补偿电路，包含：

补偿电流供应电路，用来产生补偿电流，以及

补偿选择电路，耦合在该补偿电流供应电路以及该差动输入级的第一与第二输入端之间，

其特征在于：

该补偿选择电路包含：

第一开关，耦合在该补偿电流供应电路与该第一输入端之间，使得当该第一开关导通时，允许该补偿电流供应到该第一输入端；

第二开关，耦合在该补偿电流供应电路与该第二输入端之间，使得当该第二开关导通时，允许该补偿电流供应到该第二输入端；以及

比较控制单元，用来基于该第一输入端的第一电压信号与该第二输入端的第二电压信号之间的比较而控制该第一与该第二开关，使得该第一与该第二开关不会同时导通。

7.如权利要求6所述的用于差动输入级的偏置电流补偿电路，其特征在于：

该比较控制单元由电压比较器与反相器所实现，该电压比较器具有第一输入端、第二输入端与输出端，该第一输入端耦合在该差动输入级的该第一输入端，该第二输入端则耦合在该差动输入级的该第二输入端，该输出端直接控制该第一开关并且间接经由该反相器而控制该第二开关。