[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一导电类型的半导体衬底；

第二导电类型的第一阱，其形成在该半导体衬底中，该第二导电类型是与该第一导电类型相反的类型；

第一导电类型的第二阱，其形成在该半导体衬底中的第一阱旁边；以及

第二导电类型的第三阱，其形成在该半导体衬底中的第二阱旁边，该第三阱比该第二阱深，

其中，在该半导体衬底中的第二与第三阱之间形成有第一导电类型的第四阱，该第四阱比该第二阱深。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中该第四阱还形成在该半导体衬底中的第一阱与第二阱之间。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中该第一阱比该第二阱深。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中该第四阱形成为围绕该第三阱。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

在该半导体衬底中的第一阱旁边形成有第一导电类型的第五阱；以及

在该第一阱和该第五阱中均形成具有CMOS结构的MOS晶体管。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

在该半导体衬底中的第三阱旁边并排形成有第一导电类型的隔离阱和第二导电类型的第六阱；以及

该第三阱与该第六阱通过该隔离阱彼此隔离。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中在上述第一阱至第三阱中分别形成有第一至第三MOS晶体管。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中在该半导体衬底中形成有闪存单元。

9.一种半导体器件的驱动方法，该半导体器件包括：

第一导电类型的半导体衬底；

第二导电类型的第一阱，其形成在该半导体衬底中；

第一导电类型的第二阱，其形成在该半导体衬底中的第一阱旁边，该第二导电类型是与该第一导电类型相反的类型；以及

第二导电类型的第三阱，其形成在该半导体衬底中的第二阱旁边，该第三阱比该第二阱深，

其中：

在该半导体衬底中的第二与第三阱之间形成有第一导电类型的第四阱，该第四阱比该第二阱深；以及

施加到该第三阱上的电压绝对值大于施加到该第一阱上的电压绝对值和施加到该第二阱上的电压绝对值中的任一个。

10.根据权利要求9所述的半导体器件的驱动方法，其中该第四阱还形成在该半导体衬底中的第一阱与第二阱之间。

11.根据权利要求9所述的半导体器件的驱动方法，其中该第一阱比该第二阱深。

12.根据权利要求9所述的半导体器件的驱动方法，其中该第四阱形成为围绕该第三阱。

13.根据权利要求9所述的半导体器件的驱动方法，其中：

在上述第一至第三阱中分别形成有第一至第三MOS晶体管；以及

该第三MOS晶体管的工作电压高于该第一MOS晶体管的工作电压和该第二MOS晶体管的工作电压中的任一个。

14.根据权利要求9所述的半导体器件的驱动方法，其中在该半导体衬底中形成有闪存单元。

15.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：

在第一导电类型的半导体衬底中形成第二导电类型的第一阱，该第二导电类型是与该第一导电类型相反的类型；

在该半导体衬底中的第一阱旁边形成第一导电类型的第二阱；

在该半导体衬底中的第二阱旁边形成第二导电类型的第三阱，该第三阱比该第二阱深；以及

在该半导体衬底中的第二与第三阱之间形成第一导电类型的第四阱，该第四阱比该第二阱深。

16.根据权利要求15所述的半导体器件的制造方法，其中在形成该第四阱的步骤中，该第四阱形成为通过增大该第三阱的外形获得的平面形状，以围绕该第三阱。

17.根据权利要求15所述的半导体器件的制造方法，还包括以下步骤：

在形成该第四阱的步骤中，在该半导体衬底中的第一阱旁边形成第一导电类型的第五阱；以及

在该第一阱和该第五阱中均形成具有CMOS结构的MOS晶体管。