[发明专利]多孔金属氧化物及其制备方法

权利要求书

1.一种制备多孔金属氧化物的方法，包括对配位聚合物进行热处理。

2.根据权利要求1的方法，其中所述热处理包括：

惰性气氛下的第一热处理过程；及

含氧气氛下的第二热处理过程。

3.根据权利要求1的方法，其中所述第一热处理过程的温度为300℃至配位聚合物中所包含的主要金属的熔点。

4.根据权利要求1的方法，其中所述第二热处理过程的温度为300～1500℃。

5.根据权利要求1的方法，其中所述配位聚合物是具有下面式1所示单元结构的化合物：

<式1>

M_xL_yS_z

式中M为至少一种选自下列的金属：过渡金属，13族金属，14族金属，15族金属，镧系元素，及锕系元素；L是与至少两个金属离子同时形成离子键或共价键的多齿配位体；S是与一个金属离子形成离子键或共价键的单齿配位体；且当能与金属离子结合的L的官能团数为d时，x、y和z为满足yd+z≤6x的整数。

6.根据权利要求5的方法，其中所述配位聚合物形成网络，该网络是通过多齿配位体相互连接金属而得到的。

7.根据权利要求5的方法，其中所述多齿配位体为选自下列中的至少一种：式4所示的均苯三甲酸盐-基配位体，式5所示的对苯二甲酸盐-基配位体，式6所示的4，4′-联吡啶-基配位体，式7所示的2，6-萘二甲酸盐-基配位体，及式8所示的吡嗪-基配位体：

<式4>

<式5>

<式6>

<式7>

<式8>

式中R₁～R₂₅各自独立地为氢原子，卤原子，羟基，取代或未取代的C_1-20烷基，取代或未取代的C_1-20烷氧基，取代或未取代的C_2-20链烯基，取代或未取代的C_6-30芳基，取代或未取代的C_6-30芳氧基，取代或未取代的C_2-30杂芳基，或者取代或未取代的C_2-30杂芳氧基。

8.根据权利要求5的方法，其中所述金属为至少一种选自下列的金属：Fe，Pt，Co，Cd，Cu，Ti，V，Cr，Mn，Ni，Ag，Pd，Ru，Mo，Zr，Nb，La，In，Sn，Pb，及Bi。

9.一种多孔金属氧化物，其具有多边形的形状和平均直径为10nm或更大的孔隙。

10.根据权利要求9的多孔金属氧化物，其中所述孔隙的平均直径为20～100nm。

11.根据权利要求9的多孔金属氧化物，其中所述多孔金属氧化物的颗粒为针状或片状。

12.根据权利要求9的多孔金属氧化物，其是通过热处理配位聚合物而得到的。

13.根据权利要求12的方法，其中所述配位聚合物是具有下面式1所示单元结构的化合物：

<式1>

M_xL_yS_z

式中M为至少一种选自下列的金属：过渡金属，13族金属，14族金属，15族金属，镧系元素，及锕系元素；L为与至少两个金属离子同时形成离子键或共价键的多齿配位体；S为与一个金属离子形成离子键或共价键的单齿配位体；且当能与金属离子结合的L的官能团数为d时，x、y和z为满足yd+z≤6x的整数。

14.根据权利要求12的多孔金属氧化物，其中所述配位聚合物形成网络，该网络是通过多齿配位体相互连接金属而得到的。