[发明专利]有源矩阵显示基板制备方法

权利要求书

1.有源矩阵薄膜晶体管阵列，其中包括：

●由一层金属形成的两层互连电极；

●薄膜晶体管的源、漏、栅电极被金属部分或全部替代。

2.有源矩阵薄膜晶体管阵列，其中包括：

●由一层金属形成的两层互连电极；

●薄膜晶体管的源、漏、栅电极被金属部分或全部替代；

●薄膜多晶硅作为象素电极材料。

3.权利要求1和2中所述的两层金属互连电极的形成工艺如下：

●在衬底绝缘覆盖层上，形成半导体薄膜岛图形；

●在上述半导体薄膜岛上，沉积第二层绝缘层；

●在对应上述半导体薄膜岛上的绝缘层上，开接触孔；

●在上述样品表面联系沉积两层金属层，底层的金属通过接触孔与半导体薄膜岛直接相联；

●对上述样品进行适当的热处理过程；

●光刻加工出金属电极图形，形成两层互连的金属电极。

4.权利要求1和2中所述的薄膜晶体管形成工艺如下：

●在衬底绝缘覆盖层上，形成晶体管有源岛图形；

●在上述晶体管有源岛上，沉积栅绝缘层；

●在对应上述晶体管有源岛的源漏电极位置的绝缘层上，开接触孔；

●在上述样品表面联系沉积两层金属层，底层的金属通过接触孔与晶体管有源岛直接相联；

●对上述样品进行适当的热处理过程；

●光刻加工出源、栅、漏金属连接电极图形。

5.显示器的象素电极制备工艺包括：

●在衬底绝缘覆盖层上，形成半导体薄膜象素图形；

●在上述半导体薄膜象素上，沉积第二层绝缘层；

●在对应上述半导体薄膜象素上的绝缘层上，开接触孔；

●在上述样品表面联系沉积两层金属层，底层的金属通过接触孔与半导体薄膜岛直接相联；

●对上述样品进行适当的热处理过程；

●光刻加工出金属电极图形，形成金属电极与多晶硅象素的连接。

6.权利要求3至5中所述的顶层金属，在热处理过程后被去掉。

7.权利要求4至5中所述的薄膜晶体管的源漏区间和象素电极区间掺入适当的杂质。

8.以权利要求1和2中所述的金属层，形成薄膜晶体管的栅电极。

9.以权利要求3至5中所述的半导体薄膜形成薄膜晶体管的沟道。

10.权利要求1、2和5所述的象素电极与薄膜晶体管有源层为同一层半导体薄膜。

11.权利要求3至5所述的底层金属，是但不限于铝、银或金。

12.权利要求3至5所述的顶层金属，为一种对硅具有置换功能的金属，是但不限于钛、钨、钴、镍或铂。

13.权利要求3至5所述的半导体薄膜可由硅、锗、锗硅合金或它们的复合层。

14.权利要求3至5所述的半导体薄膜岛(电极岛、有源岛、象素岛)可以是非晶硅、多晶硅或单晶硅。

15.权利要求1、2和3所述的半导体薄膜岛，被权利要求11中所述金属全部替代。

16.权利要求1、2和4所述的薄膜晶体管，其源漏区间部分为掺杂半导体，其它部分被权利要求11中所述金属替代。

17.权利要求1、2和5所述的象素电极，为掺杂半导体，与选址TFT的源(漏)电极自然连接。

18.由权利要求要求1至5所述的互连电极、薄膜晶体管、象素电极所组成的液晶有源驱动基板。

19.由权利要求要求1至5所述的互连电极、薄膜晶体管、象素电极所组成的有机发光二极管有源驱动基板。

20.权利要求7所述的P型杂质，可以是硼、铝或镓。

21.权利要求7所述的杂质，通过热退火活化。

22.权利要求7所述的杂质，通过激光或闪灯活化快速。

23.权利要求3至5所述的绝缘层材料为但不限于二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或高介电常数的金属氧化物。