[发明专利]硅片刻蚀的方法有效
| 申请号： | 200610164844.5 | 申请日： | 2006-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN101197269A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 荣延栋 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵镇勇 |
| 地址： | 100016北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 刻蚀 方法 | ||
1.一种硅片刻蚀的方法，包括硅片刻蚀步，其特征在于，所述硅片刻蚀步之后还包括除去颗粒步，所述颗粒为硅片刻蚀过程产生的副产物，吸附在刻蚀腔室的内壁或硅片表面上，所述除去颗粒步包括步骤：
A、向刻蚀腔室中通入工艺气体，通过射频源将工艺气体电离成等离子体，等离子体轰击所述颗粒，使其脱离刻蚀腔室内壁或硅片表面；
B、向刻蚀腔室中通入工艺气体，将脱离刻蚀腔室内壁或硅片表面的颗粒带走。
2.根据权利要求1所述的硅片刻蚀的方法，其特征在于，所述步骤A中所用的工艺气体包括He气和/或Ar气。
3.根据权利要求2所述的硅片刻蚀的方法，其特征在于，所述射频源的功率为50～800W，所述的等离子体包括He+和/或Ar+及电子。
4.根据权利要求2或3所述的硅片刻蚀的方法，其特征在于，
所述工艺气体的总流量为10～100sccm；
所述工艺气体的压力为5～12mT；
反应时间为2～30s。
5.根据权利要求1所述的硅片刻蚀的方法，其特征在于，所述步骤B中所用的工艺气体包括He气和/或Ar气，还包括N2气。
6.根据权利要求5所述的硅片刻蚀的方法，其特征在于，
所述工艺气体中，He气和/或Ar气的总流量为10～300sccm，N2气的流量为5～300sccm；
所述工艺气体的压力为0～5mT；
供气时间为5～30s。
7.根据权利要求1所述的硅片刻蚀的方法，其特征在于，所述颗粒包括以下至少一种物质：
SiBr3+的聚合物、SiBr22+的聚合物、SiBr3+的聚合物、光阻的聚合物。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
